类型：N 沟道 MOSFET
　　漏极电流（ID）：100A
　　漏源电压（VDS）：30V
　　栅源电压（VGS）：±20V
　　导通电阻（RDS(on)）：5.5mΩ @ VGS = 10V
　　功率耗散（PD）：100W
　　工作温度范围：-55°C 至 175°C
　　封装类型：PowerPAK SO-8 双散热焊盘

AON6934(A) MOSFET 具有极低的导通电阻，使其在高电流应用中具有出色的效率表现。其先进的沟槽式 MOSFET 技术确保了更低的开关损耗和更高的可靠性。此外，该器件具有高电流承载能力和出色的热管理性能，适用于高功率密度设计。该 MOSFET 还具备高雪崩能量耐受能力，使其在恶劣工作条件下仍能保持稳定运行。AON6934(A) 还采用了先进的封装技术，确保了良好的散热性能，从而延长了器件的使用寿命。
　　在驱动能力方面，AON6934(A) 能够在高频开关应用中提供稳定的性能，适用于同步整流、DC-DC 转换器、负载开关和电池管理系统等多种应用场景。此外，其高栅极电压耐受能力允许在更宽的控制范围内使用，增强了设计的灵活性。AON6934(A) 还具备良好的抗静电能力，降低了因静电放电（ESD）导致的损坏风险。

AON6934(A) MOSFET 主要用于需要高效功率转换的电子设备中，包括但不限于：服务器电源、通信电源、DC-DC 转换器、负载开关、电机驱动、电池管理系统（BMS）、工业自动化设备、电源适配器以及高功率 LED 驱动器等。其优异的热性能和低导通电阻特性使其成为高性能电源管理系统的理想选择。

SiSS8436, NexFET CSD17551Q5A, IPB013N03L G, FDS6982A, AO4464