时间：2025/6/14 10:16:10
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GA1206A680KXEBP31G 是一款高性能的 MOSFET 功率晶体管，属于增强型 N 沟道器件。该型号适用于多种开关和功率转换应用场景，具有低导通电阻、高开关速度以及出色的热性能等特性。其设计优化了在高频和高效率应用中的表现，如电源管理模块、电机驱动器以及 DC-DC 转换器等。
最大漏源电压：60V
最大栅极源极电压：±20V
连续漏极电流：68A
导通电阻（典型值）：4.5mΩ
栅极电荷：45nC
反向恢复时间：12ns
工作温度范围：-55℃ 至 175℃
1. 极低的导通电阻使得该器件在大电流应用中能有效降低功耗。
2. 高速开关能力确保在高频操作时仍能保持高效率。
3. 强大的雪崩能量耐受能力，增强了系统的可靠性和稳定性。
4. 小型化封装设计，便于在紧凑型电路板上进行布局。
5. 符合 RoHS 标准，环保无铅材料制造。
6. 内部设计有 ESD 保护功能，提高了产品抗静电能力。
1. 开关电源 (SMPS) 中的主开关管或同步整流管。
2. 电动工具和家用电器中的电机驱动电路。
3. 工业自动化设备中的负载切换。
4. 新能源领域中的光伏逆变器和电池管理系统 (BMS)。
5. 各种 DC-DC 和 AC-DC 转换器中的功率级元件。
GA1206A680KXEBP30G, IRFZ44N, FDP55N06L
