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IRLR3103TRPBF 发布时间 时间:2025/6/27 12:25:40 查看 阅读:9

IRLR3103TRPBF 是一款由英飞凌(Infineon)生产的 N 沣道场效应晶体管(N-Channel MOSFET)。该器件采用逻辑电平驱动设计,适用于低电压应用场合,能够实现高效的开关和功率管理。IRLR3103TRPBF 使用 ThinPAK-8 封装,具有较低的导通电阻和快速开关性能,非常适合需要高效能和紧凑设计的应用环境。
  这款 MOSFET 常用于电机驱动、DC-DC 转换器、负载切换以及其他电力电子设备中,其出色的电气特性和可靠性使其成为许多工程师的首选。

参数

最大漏源电压:30V
  连续漏极电流:27A
  导通电阻:4.5mΩ
  栅极电荷:12nC
  总电容:95pF
  工作温度范围:-55°C 至 175°C
  封装形式:ThinPAK-8

特性

IRLR3103TRPBF 具有以下主要特性:
  1. 极低的导通电阻(Rds(on)),在典型条件下仅为 4.5mΩ,从而减少功率损耗并提高效率。
  2. 快速开关能力,得益于其较小的栅极电荷(Qg=12nC),可以有效降低开关损耗。
  3. 逻辑电平驱动兼容性,使得可以直接与大多数微控制器或数字信号处理器接口使用。
  4. 高电流处理能力,额定连续漏极电流为 27A,适合高功率应用。
  5. 工作温度范围宽广,能够在 -55°C 到 +175°C 的环境下稳定运行。
  6. 良好的热性能和耐用性,有助于提升系统的可靠性和寿命。
  7. 符合 RoHS 标准,环保且支持无铅焊接工艺。

应用

IRLR3103TRPBF 广泛应用于各种电力电子领域:
  1. 开关电源(SMPS)和 DC-DC 转换器中的同步整流。
  2. 电动工具和小型电机控制中的功率开关。
  3. 汽车电子系统中的负载切换和电池保护。
  4. 可再生能源设备如太阳能逆变器中的功率转换。
  5. 计算机和通信设备中的电压调节模块(VRM)。
  6. 便携式电子产品中的高效功率管理解决方案。

替代型号

IRLR3105TRPBF, IRLR3104TRPBF

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IRLR3103TRPBF参数

  • 标准包装2,000
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列HEXFET®
  • FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)30V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C55A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C19 毫欧 @ 33A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)1V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs50nC @ 4.5V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds1600pF @ 25V
  • 功率 - 最大107W
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
  • 供应商设备封装D-Pak
  • 包装带卷 (TR)
  • 其它名称IRLR3103PBFTR