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GA1206A680GXABP31G 发布时间 时间:2025/6/4 8:35:17 查看 阅读:9

GA1206A680GXABP31G是一款高性能的功率MOSFET芯片,主要用于开关电源、电机驱动、DC-DC转换器等高效率电力电子应用。该器件采用先进的沟槽式结构设计,具有较低的导通电阻和优异的热性能,能够在高频工作条件下保持高效的能量转换。
  该型号属于增强型N沟道MOSFET,通过优化栅极电荷和输出电容参数,能够有效降低开关损耗并提升整体系统效率。

参数

类型:N沟道 MOSFET
  最大漏源电压:60V
  连续漏极电流:68A
  导通电阻:1.5mΩ(典型值,Vgs=10V)
  栅极电荷:75nC
  输入电容:2000pF
  总功耗:360W
  工作温度范围:-55℃至+175℃
  封装形式:TO-247

特性

GA1206A680GXABP31G的主要特性包括:
  1. 极低的导通电阻,有助于减少传导损耗,提高系统效率。
  2. 优化的栅极电荷和开关速度,可显著降低开关损耗。
  3. 高电流处理能力,支持大功率应用场景。
  4. 采用D2PAK或TO-247封装,具备良好的散热性能。
  5. 工作温度范围宽广,适用于极端环境条件下的应用。
  6. 符合RoHS标准,环保无铅设计。
  7. 内置反向二极管,支持同步整流功能。

应用

该型号广泛应用于以下领域:
  1. 开关电源(SMPS)中的主开关或同步整流器件。
  2. 电机驱动电路,特别是大功率直流电机控制。
  3. DC-DC转换器,如降压、升压及升降压转换器。
  4. 太阳能逆变器和电池管理系统中的功率级控制。
  5. 电动汽车(EV)和混合动力汽车(HEV)中的车载充电器与电机控制器。
  6. 工业自动化设备中的负载切换和功率调节。

替代型号

GA1206A600GXAQP31G
  IRFP2907
  FDP6800N
  STP68NF06

GA1206A680GXABP31G参数

  • 现有数量0现货
  • 价格停产
  • 系列GA
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态停产
  • 电容68 pF
  • 容差±2%
  • 电压 - 额定50V
  • 温度系数C0G,NP0
  • 工作温度-55°C ~ 150°C
  • 特性-
  • 等级AEC-Q200
  • 应用汽车级
  • 故障率-
  • 安装类型表面贴装,MLCC
  • 封装/外壳1206(3216 公制)
  • 大小 / 尺寸0.126" 长 x 0.063" 宽(3.20mm x 1.60mm)
  • 高度 - 安装(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.067"(1.70mm)
  • 引线间距-
  • 引线样式-