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GA1206A5R6DXEBP31G 发布时间 时间:2025/6/30 17:55:24 查看 阅读:3

GA1206A5R6DXEBP31G 是一款高性能的 MOSFET 功率晶体管,采用先进的制造工艺设计。该器件适用于需要高效率和低导通电阻的应用场景,广泛用于电源管理、电机驱动以及开关电源等领域。
  该型号具有出色的电气性能和可靠性,能够满足工业级和消费级应用需求。其封装形式适合表面贴装技术(SMT),便于自动化生产和组装。

参数

最大漏源电压:60V
  连续漏极电流:18A
  导通电阻:4.5mΩ
  栅极电荷:28nC
  开关速度:快速
  工作温度范围:-55℃ 至 +175℃

特性

1. 极低的导通电阻,可显著降低功率损耗。
  2. 高电流承载能力,适用于大功率应用场景。
  3. 快速开关性能,适合高频电路设计。
  4. 强大的热稳定性,能够在宽温范围内可靠工作。
  5. 符合 RoHS 标准,环保且安全。
  6. 小型化封装,节省 PCB 空间。

应用

1. 开关电源(SMPS)中的功率开关。
  2. 电机驱动器中的逆变桥组件。
  3. 电池管理系统(BMS)中的负载切换。
  4. DC-DC 转换器的核心元件。
  5. 工业控制设备中的功率调节模块。
  6. 消费类电子产品中的高效电源管理方案。

替代型号

GA1206A5R6DJE, IRFZ44N, FDP5500

GA1206A5R6DXEBP31G参数

  • 现有数量0现货
  • 价格停产
  • 系列GA
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态停产
  • 电容5.6 pF
  • 容差±0.5pF
  • 电压 - 额定500V
  • 温度系数C0G,NP0
  • 工作温度-55°C ~ 150°C
  • 特性-
  • 等级AEC-Q200
  • 应用汽车级
  • 故障率-
  • 安装类型表面贴装,MLCC
  • 封装/外壳1206(3216 公制)
  • 大小 / 尺寸0.126" 长 x 0.063" 宽(3.20mm x 1.60mm)
  • 高度 - 安装(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.067"(1.70mm)
  • 引线间距-
  • 引线样式-