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GA1206A5R6DXBBP31G 发布时间 时间:2025/5/22 21:02:52 查看 阅读:13

GA1206A5R6DXBBP31G 是一款高性能的 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)器件,主要应用于电源管理、开关电路以及功率转换等场景。该型号属于 N 沟道增强型 MOSFET,具有低导通电阻和快速开关速度的特点,适合高效率的电力电子应用。
  该芯片采用先进的半导体制造工艺,具备出色的热性能和电气特性,能够承受较高的电流负载和电压波动,同时确保系统运行的稳定性和可靠性。

参数

类型:N沟道增强型 MOSFET
  最大漏源电压(VDS):60V
  最大栅源电压(VGS):±20V
  连续漏极电流(ID):120A
  导通电阻(RDS(on)):1.2mΩ
  总栅极电荷(Qg):97nC
  输入电容(Ciss):4380pF
  输出电容(Coss):98pF
  反向传输电容(Crss):48pF
  工作温度范围:-55℃ 至 +175℃

特性

GA1206A5R6DXBBP31G 的主要特性包括以下几点:
  1. 低导通电阻 (RDS(on)),有助于减少传导损耗,提高系统效率。
  2. 高额定电流 (ID),可以支持大功率应用场景。
  3. 快速开关速度,降低开关损耗,适合高频开关电路。
  4. 优秀的热稳定性,在高温环境下依然保持可靠的性能。
  5. 符合 RoHS 标准,环保设计,满足现代工业对绿色产品的要求。
  6. 强大的短路保护能力,提升系统的安全性。

应用

该 MOSFET 广泛应用于以下领域:
  1. 开关电源 (SMPS) 和 DC-DC 转换器中的功率开关。
  2. 电机驱动电路中的功率级控制。
  3. 工业自动化设备中的功率调节和保护。
  4. 新能源汽车中的电池管理系统 (BMS) 和逆变器。
  5. 太阳能逆变器和其他可再生能源发电设备中的功率转换模块。
  6. 充电器和适配器中的高效功率管理单元。

替代型号

GA1206A5R6DZBBP31G, IRF1404, FDP150N06L

GA1206A5R6DXBBP31G参数

  • 现有数量0现货
  • 价格停产
  • 系列GA
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态停产
  • 电容5.6 pF
  • 容差±0.5pF
  • 电压 - 额定100V
  • 温度系数C0G,NP0
  • 工作温度-55°C ~ 150°C
  • 特性-
  • 等级AEC-Q200
  • 应用汽车级
  • 故障率-
  • 安装类型表面贴装,MLCC
  • 封装/外壳1206(3216 公制)
  • 大小 / 尺寸0.126" 长 x 0.063" 宽(3.20mm x 1.60mm)
  • 高度 - 安装(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.067"(1.70mm)
  • 引线间距-
  • 引线样式-