时间：2025/5/10 17:40:57
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GA1206A561GBEBT31G 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片，主要应用于开关电源、电机驱动和 DC-DC 转换器等领域。该芯片采用了先进的半导体制造工艺，具有低导通电阻、高开关速度以及良好的热性能等优点。其设计旨在提高效率并减少系统损耗，适用于需要高功率密度和高效能转换的应用场景。
该型号属于增强型 N 沟道 MOSFET，能够承受较高的漏源电压，并且具备优异的电流承载能力，从而使其在工业控制、汽车电子和消费类电子产品中得到广泛应用。
漏源电压（Vds）：120V
连续漏极电流（Id）：6.8A
导通电阻（Rds(on)）：56mΩ
栅极电荷（Qg）：14nC
输入电容（Ciss）：1250pF
输出电容（Coss）：390pF
反向恢复时间（trr）：75ns
工作结温范围：-55℃ 至 175℃
1. 极低的导通电阻，有效降低传导损耗。
2. 高速开关性能，支持高频应用。
3. 强大的雪崩能力，提高了器件的鲁棒性。
4. 小巧的封装尺寸，便于 PCB 布局和散热设计。
5. 符合 RoHS 标准，环保且可靠。
6. 支持表面贴装技术（SMD），简化了自动化生产流程。
7. 在宽温度范围内保持稳定的电气性能，适用于恶劣环境。
1. 开关电源（SMPS）中的功率开关。
2. 各类 DC-DC 转换器的核心元件。
3. 电机驱动电路中的逆变桥臂开关。
4. 电池保护和管理系统中的负载开关。
5. LED 驱动电路中的电流调节器件。
6. 工业自动化设备中的功率控制模块。
7. 汽车电子系统的电源管理部分。
IRFZ44N
FDP5800
AON6810
STP120NF06L
