GA1206A561GBCBR31G 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片,广泛应用于电源管理、电机驱动和开关电源等领域。该芯片采用先进的制造工艺,具有低导通电阻、高开关速度和良好的热性能等特性,适用于需要高效能和高可靠性的应用场景。
该器件属于沟道型 MOSFET,其设计优化了动态性能和静态性能之间的平衡,能够满足严苛的工作条件要求。同时,它具备强大的短路耐受能力,确保在异常工作条件下仍能保持稳定。
最大漏源电压:60V
连续漏极电流:140A
导通电阻:1.2mΩ
栅极电荷:85nC
总电容:2950pF
工作温度范围:-55℃至175℃
1. 极低的导通电阻,有助于减少功率损耗并提高效率。
2. 高电流处理能力,支持大功率应用。
3. 快速开关特性,可有效降低开关损耗。
4. 优秀的热性能,能够在高温环境下长期运行。
5. 内置ESD保护功能,增强器件的可靠性。
6. 短路耐受时间长,提升了系统的安全性和稳定性。
1. 开关电源(SMPS)中的主开关管。
2. 电动工具及家电产品的电机驱动电路。
3. 工业自动化设备中的功率转换模块。
4. 新能源汽车的电池管理系统(BMS)和逆变器。
5. 充电器和适配器中的同步整流电路。
6. 各类DC-DC转换器和负载点(POL)转换器。
IRF540N
FDP5560
AON6710