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GA1206A561GBCBR31G 发布时间 时间:2025/5/30 14:51:59 查看 阅读:8

GA1206A561GBCBR31G 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片,广泛应用于电源管理、电机驱动和开关电源等领域。该芯片采用先进的制造工艺,具有低导通电阻、高开关速度和良好的热性能等特性,适用于需要高效能和高可靠性的应用场景。
  该器件属于沟道型 MOSFET,其设计优化了动态性能和静态性能之间的平衡,能够满足严苛的工作条件要求。同时,它具备强大的短路耐受能力,确保在异常工作条件下仍能保持稳定。

参数

最大漏源电压:60V
  连续漏极电流:140A
  导通电阻:1.2mΩ
  栅极电荷:85nC
  总电容:2950pF
  工作温度范围:-55℃至175℃

特性

1. 极低的导通电阻,有助于减少功率损耗并提高效率。
  2. 高电流处理能力,支持大功率应用。
  3. 快速开关特性,可有效降低开关损耗。
  4. 优秀的热性能,能够在高温环境下长期运行。
  5. 内置ESD保护功能,增强器件的可靠性。
  6. 短路耐受时间长,提升了系统的安全性和稳定性。

应用

1. 开关电源(SMPS)中的主开关管。
  2. 电动工具及家电产品的电机驱动电路。
  3. 工业自动化设备中的功率转换模块。
  4. 新能源汽车的电池管理系统(BMS)和逆变器。
  5. 充电器和适配器中的同步整流电路。
  6. 各类DC-DC转换器和负载点(POL)转换器。

替代型号

IRF540N
  FDP5560
  AON6710

GA1206A561GBCBR31G参数

  • 现有数量0现货
  • 价格在售
  • 系列GA
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态在售
  • 电容560 pF
  • 容差±2%
  • 电压 - 额定200V
  • 温度系数C0G,NP0
  • 工作温度-55°C ~ 150°C
  • 特性-
  • 等级AEC-Q200
  • 应用汽车级
  • 故障率-
  • 安装类型表面贴装,MLCC
  • 封装/外壳1206(3216 公制)
  • 大小 / 尺寸0.126" 长 x 0.063" 宽(3.20mm x 1.60mm)
  • 高度 - 安装(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.067"(1.70mm)
  • 引线间距-
  • 引线样式-