时间：2025/8/9 6:00:47
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2SK2768是一款由东芝（Toshiba）生产的N沟道功率MOSFET，主要用于高频功率放大和开关应用。该器件采用先进的沟槽式（Trench）技术，具有较低的导通电阻和较高的开关速度。2SK2768广泛应用于DC-DC转换器、电机驱动、电源管理和电池供电设备中。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压（VDS）：30V
栅源电压（VGS）：20V
连续漏极电流（ID）：120A
导通电阻（RDS(on)）：4.5mΩ（典型值）
功率耗散（PD）：100W
工作温度范围：-55°C至150°C
封装形式：TO-220AB
2SK2768具备一系列高性能特性，使其在功率电子应用中表现出色。首先，其低导通电阻（RDS(on)）可显著降低导通损耗，提高系统效率。在120A大电流工作条件下，该特性尤为关键。此外，该MOSFET支持高达20V的栅源电压，允许使用较宽的驱动电压范围，确保稳定的开关操作。其TO-220AB封装形式不仅提供了良好的散热性能，还便于安装在散热片上，满足高功率密度的设计需求。
在开关性能方面，2SK2768具有快速的开关响应时间，能够有效降低开关损耗，并适用于高频开关应用。这对于现代电源转换系统（如DC-DC转换器和同步整流器）尤为重要。同时，该器件具备较高的热稳定性和耐久性，能够在严苛的环境条件下可靠运行。
该MOSFET还具有较高的短路耐受能力，能够在短时间内承受较大的电流冲击而不会损坏，从而提高了系统的整体稳定性和安全性。这种特性在电机控制和功率放大应用中尤为实用。
2SK2768适用于多种功率电子应用。其高电流能力和低导通电阻使其非常适合用于大功率DC-DC转换器、同步整流器和电源管理系统。此外，该器件在电机驱动和H桥电路中也有广泛应用，能够提供高效的功率切换和控制。
在消费电子领域，2SK2768可用于电池供电设备的电源管理模块，如笔记本电脑、平板电脑和便携式储能设备。其高效率和低功耗特性有助于延长设备的续航时间。在工业自动化和电机控制应用中，该MOSFET可作为功率开关元件，用于控制电机的启停和方向切换。
另外，2SK2768也常用于高频功率放大器、音频放大器和LED驱动电路中，能够提供稳定的功率输出并减少发热。在电动汽车和充电系统中，该器件也常用于电池充放电管理电路，以实现高效的能量转换。
SiR178DP, IRF1404, 2SK3084, IPB017N06N
