GA1206A561FXEBR31G 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片,主要应用于电源管理领域。该芯片采用先进的制造工艺,具有低导通电阻和高开关速度的特点,适用于需要高效能和高可靠性的电路设计。
此型号属于功率 MOSFET 家族,能够提供出色的效率和热性能,适合于各种工业和消费类电子产品的应用环境。
类型:MOSFET
封装:TO-263
VDS(漏源电压):60V
RDS(on)(导通电阻):4.5mΩ
ID(连续漏极电流):60A
Qg(栅极电荷):48nC
f(工作频率):500kHz
功耗:270W
工作温度范围:-55℃ 至 150℃
GA1206A561FXEBR31G 具有以下显著特性:
1. 极低的导通电阻 RDS(on),可减少导通损耗,提高系统效率。
2. 高电流承载能力,支持高达 60A 的连续漏极电流。
3. 快速开关性能,支持高达 500kHz 的工作频率。
4. 强大的散热性能,确保在高温环境下仍能稳定运行。
5. 符合 RoHS 标准,环保且安全可靠。
6. 小型化封装,节省 PCB 空间并优化布局设计。
该芯片广泛应用于以下领域:
1. 开关电源 (SMPS) 和 DC-DC 转换器。
2. 电机驱动和逆变器控制。
3. 工业自动化设备中的电源管理模块。
4. 消费类电子产品中的负载切换。
5. 通信设备中的高效电源解决方案。
6. 太阳能逆变器和其他新能源相关产品。
GA1206A561FXEBR30G, IRFZ44N, FDP5500