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GA1206A561FXEBR31G 发布时间 时间:2025/7/1 14:54:57 查看 阅读:6

GA1206A561FXEBR31G 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片,主要应用于电源管理领域。该芯片采用先进的制造工艺,具有低导通电阻和高开关速度的特点,适用于需要高效能和高可靠性的电路设计。
  此型号属于功率 MOSFET 家族,能够提供出色的效率和热性能,适合于各种工业和消费类电子产品的应用环境。

参数

类型:MOSFET
  封装:TO-263
  VDS(漏源电压):60V
  RDS(on)(导通电阻):4.5mΩ
  ID(连续漏极电流):60A
  Qg(栅极电荷):48nC
  f(工作频率):500kHz
  功耗:270W
  工作温度范围:-55℃ 至 150℃

特性

GA1206A561FXEBR31G 具有以下显著特性:
  1. 极低的导通电阻 RDS(on),可减少导通损耗,提高系统效率。
  2. 高电流承载能力,支持高达 60A 的连续漏极电流。
  3. 快速开关性能,支持高达 500kHz 的工作频率。
  4. 强大的散热性能,确保在高温环境下仍能稳定运行。
  5. 符合 RoHS 标准,环保且安全可靠。
  6. 小型化封装,节省 PCB 空间并优化布局设计。

应用

该芯片广泛应用于以下领域:
  1. 开关电源 (SMPS) 和 DC-DC 转换器。
  2. 电机驱动和逆变器控制。
  3. 工业自动化设备中的电源管理模块。
  4. 消费类电子产品中的负载切换。
  5. 通信设备中的高效电源解决方案。
  6. 太阳能逆变器和其他新能源相关产品。

替代型号

GA1206A561FXEBR30G, IRFZ44N, FDP5500

GA1206A561FXEBR31G参数

  • 现有数量0现货
  • 价格在售
  • 系列GA
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态在售
  • 电容560 pF
  • 容差±1%
  • 电压 - 额定500V
  • 温度系数C0G,NP0
  • 工作温度-55°C ~ 150°C
  • 特性-
  • 等级AEC-Q200
  • 应用汽车级
  • 故障率-
  • 安装类型表面贴装,MLCC
  • 封装/外壳1206(3216 公制)
  • 大小 / 尺寸0.126" 长 x 0.063" 宽(3.20mm x 1.60mm)
  • 高度 - 安装(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.067"(1.70mm)
  • 引线间距-
  • 引线样式-