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GA1206A560KBCBR31G 发布时间 时间:2025/6/4 4:30:00 查看 阅读:6

GA1206A560KBCBR31G 是一款高性能的功率MOSFET芯片,主要用于开关电源、电机驱动、DC-DC转换器等应用领域。该芯片采用先进的制造工艺,在提供高效率的同时,具备较低的导通电阻和快速的开关速度,能够显著提升系统的整体性能。
  这款器件属于沟道型MOSFET,其设计针对高频和高功率应用进行了优化,适用于工业控制、汽车电子以及消费类电子产品中的各种场景。

参数

型号:GA1206A560KBCBR31G
  类型:N沟道 MOSFET
  最大漏源电压(Vds):60V
  最大栅源电压(Vgs):±20V
  连续漏极电流(Id):56A
  导通电阻(Rds(on)):4.5mΩ(典型值,Vgs=10V)
  总功耗:150W
  工作温度范围:-55℃ 至 +175℃
  封装形式:TO-247

特性

GA1206A560KBCBR31G 具有以下主要特性:
  1. 低导通电阻:在额定条件下,导通电阻仅为4.5mΩ,这可以显著降低传导损耗并提高系统效率。
  2. 快速开关能力:该芯片支持高频操作,具有快速的开启和关断时间,适合于现代高效能电源管理解决方案。
  3. 高电流承载能力:可承载高达56A的连续漏极电流,使其非常适合高功率应用场景。
  4. 耐热性能优异:采用高效的散热封装设计,能够在极端温度条件下稳定运行。
  5. 高可靠性:通过了严格的测试与验证流程,确保在严苛环境下的长期可靠性。
  6. 低输入电容:有助于减少开关过程中的能量损耗,并提高整体效率。
  7. 宽工作温度范围:从-55℃到+175℃,适应各种恶劣的工作环境。

应用

GA1206A560KBCBR31G 的典型应用包括但不限于以下领域:
  1. 开关电源(SMPS):用于AC-DC或DC-DC转换器中的功率开关。
  2. 电机驱动:适用于无刷直流电机(BLDC)、步进电机以及其他类型的电机控制。
  3. 汽车电子:如车载充电器、电池管理系统(BMS)、电动助力转向系统(EPS)等。
  4. 工业自动化:包括伺服驱动器、逆变器以及其他需要高功率切换的应用。
  5. 消费类电子产品:例如笔记本电脑适配器、家用电器中的电源管理模块。
  6. 可再生能源:如太阳能逆变器和风力发电系统中的功率调节部分。

替代型号

GA1206A500KBCBR31G, IRF540N, FDP55N06L

GA1206A560KBCBR31G参数

  • 现有数量0现货
  • 价格停产
  • 系列GA
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态停产
  • 电容56 pF
  • 容差±10%
  • 电压 - 额定200V
  • 温度系数C0G,NP0
  • 工作温度-55°C ~ 150°C
  • 特性-
  • 等级AEC-Q200
  • 应用汽车级
  • 故障率-
  • 安装类型表面贴装,MLCC
  • 封装/外壳1206(3216 公制)
  • 大小 / 尺寸0.126" 长 x 0.063" 宽(3.20mm x 1.60mm)
  • 高度 - 安装(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.067"(1.70mm)
  • 引线间距-
  • 引线样式-