时间：2025/5/12 15:00:04
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GA1206A560JBEBR31G 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片，广泛应用于开关电源、电机驱动、DC-DC转换器等场景。该芯片采用了先进的沟槽式工艺制造，具有低导通电阻和快速开关速度的特点，从而能够显著降低功耗并提高效率。
这款芯片属于 N 沟道增强型 MOSFET，主要适用于高效率、高频工作的应用场景。
最大漏源电压：60V
连续漏极电流：68A
导通电阻：4.5mΩ
栅极电荷：79nC
输入电容：2200pF
工作温度范围：-55℃ 至 175℃
封装形式：TO-247-3
1. 极低的导通电阻 (Rds(on))，可有效减少导通损耗。
2. 快速的开关性能，适合高频应用环境。
3. 高雪崩能量能力，增强了器件在异常情况下的耐受力。
4. 具备强大的热稳定性，在高温环境下仍能保持良好的性能。
5. 符合 RoHS 标准，环保且支持无铅焊接工艺。
6. 内置 ESD 保护机制，提高了产品的可靠性和耐用性。
1. 开关电源（SMPS）中的主开关管。
2. 电动工具和家用电器中的电机驱动电路。
3. 工业自动化设备中的功率控制模块。
4. 电动汽车及混合动力汽车中的电池管理系统 (BMS) 和 DC-DC 转换器。
5. LED 照明系统的恒流驱动电路。
6. 太阳能逆变器和其他新能源相关设备中的功率转换组件。
IRFZ44N
FDP5800
STP60NF06L
