GA1206A471JBABR31G 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片,广泛应用于电源管理、电机驱动以及开关电源等领域。该芯片采用了先进的半导体制造工艺,具有低导通电阻和高耐压能力的特点,能够在高频工作条件下保持高效和稳定。
此器件属于 N 沟道增强型 MOSFET,其封装形式为 TO-252(DPAK),能够有效散热并支持表面贴装技术(SMT),便于自动化生产和集成设计。
最大漏源电压:60V
连续漏极电流:47A
导通电阻:3.1mΩ
栅极电荷:28nC
开关速度:超高速
工作温度范围:-55℃ 至 +175℃
封装形式:TO-252(DPAK)
GA1206A471JBABR31G 的主要特性包括:
1. 极低的导通电阻(3.1mΩ),可显著降低功耗并提高系统效率。
2. 高额定电流(47A),适合大功率应用场合。
3. 快速开关性能,适用于高频开关电路。
4. 具备出色的热稳定性和可靠性,适应恶劣的工作环境。
5. 小型化封装(TO-252/DPAK),方便 PCB 布局和焊接。
6. 符合 RoHS 标准,环保无铅设计。
该芯片适用于以下应用场景:
1. 开关电源(SMPS)中的功率转换级。
2. DC-DC 转换器的核心功率开关元件。
3. 电机驱动电路中的功率输出级。
4. 工业设备及消费类电子产品中的负载切换控制。
5. 电池管理系统(BMS)中的保护开关。
6. 各种需要高效功率传输的电子系统。
IRFZ44N
FDP5570
AON6802