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GA1206A471JBABR31G 发布时间 时间:2025/5/23 10:22:42 查看 阅读:18

GA1206A471JBABR31G 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片,广泛应用于电源管理、电机驱动以及开关电源等领域。该芯片采用了先进的半导体制造工艺,具有低导通电阻和高耐压能力的特点,能够在高频工作条件下保持高效和稳定。
  此器件属于 N 沟道增强型 MOSFET,其封装形式为 TO-252(DPAK),能够有效散热并支持表面贴装技术(SMT),便于自动化生产和集成设计。

参数

最大漏源电压:60V
  连续漏极电流:47A
  导通电阻:3.1mΩ
  栅极电荷:28nC
  开关速度:超高速
  工作温度范围:-55℃ 至 +175℃
  封装形式:TO-252(DPAK)

特性

GA1206A471JBABR31G 的主要特性包括:
  1. 极低的导通电阻(3.1mΩ),可显著降低功耗并提高系统效率。
  2. 高额定电流(47A),适合大功率应用场合。
  3. 快速开关性能,适用于高频开关电路。
  4. 具备出色的热稳定性和可靠性,适应恶劣的工作环境。
  5. 小型化封装(TO-252/DPAK),方便 PCB 布局和焊接。
  6. 符合 RoHS 标准,环保无铅设计。

应用

该芯片适用于以下应用场景:
  1. 开关电源(SMPS)中的功率转换级。
  2. DC-DC 转换器的核心功率开关元件。
  3. 电机驱动电路中的功率输出级。
  4. 工业设备及消费类电子产品中的负载切换控制。
  5. 电池管理系统(BMS)中的保护开关。
  6. 各种需要高效功率传输的电子系统。

替代型号

IRFZ44N
  FDP5570
  AON6802

GA1206A471JBABR31G参数

  • 现有数量0现货
  • 价格在售
  • 系列GA
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态在售
  • 电容470 pF
  • 容差±5%
  • 电压 - 额定50V
  • 温度系数C0G,NP0
  • 工作温度-55°C ~ 150°C
  • 特性-
  • 等级AEC-Q200
  • 应用汽车级
  • 故障率-
  • 安装类型表面贴装,MLCC
  • 封装/外壳1206(3216 公制)
  • 大小 / 尺寸0.126" 长 x 0.063" 宽(3.20mm x 1.60mm)
  • 高度 - 安装(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.067"(1.70mm)
  • 引线间距-
  • 引线样式-