类型：N 沟道 MOSFET
　　最大漏极电流 (Id)：6A
　　最大漏源电压 (Vds)：100V
　　最大栅源电压 (Vgs)：±20V
　　导通电阻 (Rds(on))：最大 1.2Ω（在 Vgs=10V 时）
　　功率耗散 (Pd)：30W
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　封装类型：TO-220

MTM6N100A MOSFET 具备多项优异的电气特性和可靠性设计，适用于中高功率应用。其主要特性包括高耐压能力，漏源电压最大可达 100V，使得该器件能够在较高电压环境下稳定工作。此外，该 MOSFET 的导通电阻较低，在 Vgs=10V 时最大为 1.2Ω，有助于降低导通损耗，提高整体系统效率。
　　MTM6N100A 采用 TO-220 封装形式，具备良好的散热性能，适合在高功率密度电路中使用。该封装形式也便于安装在散热片上，以提升热管理能力，延长器件寿命。此外，该器件的栅极驱动电压范围较宽，支持 ±20V 的最大栅源电压，从而提高了其在不同驱动电路中的适应性。
　　该 MOSFET 还具备良好的抗雪崩能力，能够承受一定的瞬态过电压和过电流冲击，从而增强了系统在恶劣工作环境下的稳定性。其快速开关特性也使其适用于高频开关电源和 DC-DC 转换器，减少开关损耗并提高转换效率。
　　从可靠性角度来看，MTM6N100A 设计上采用了成熟的高压工艺和严格的品质控制标准，确保其在长期运行中的稳定性和一致性。其工作温度范围宽达 -55°C 至 +150°C，可适应多种工业级应用环境。

MTM6N100A 主要用于需要中高功率控制和高效能转换的电子系统中。其典型应用包括开关电源（SMPS）、DC-DC 转换器、电池充电器、负载开关、电机驱动器以及各种工业控制设备。由于其具备较高的耐压能力和较低的导通电阻，该器件在高频电源转换器中表现出色，能够有效提升系统效率并降低发热量。
　　在消费类电子产品中，MTM6N100A 也可用于 LED 照明驱动、电源适配器以及 UPS（不间断电源）系统中。在工业自动化系统中，该器件可用于 PLC（可编程逻辑控制器）的输出驱动模块，实现对继电器、电磁阀等执行机构的高效控制。
　　此外，该 MOSFET 还适用于汽车电子系统，如车载充电器、电动助力转向系统（EPS）和车灯控制模块等，其宽工作温度范围和良好的抗干扰能力使其在严苛的车载环境中具有较高的可靠性。

SiHF6N100D, FQP6N100, STP6NA100