时间：2025/7/1 14:58:43
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GA1206A470FBABT31G 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片，专为高效率开关电源、DC-DC 转换器以及电机驱动等应用设计。该器件采用先进的沟槽式 MOSFET 技术制造，具有低导通电阻和快速开关特性，从而显著提高了系统的整体效率和性能。
这款芯片具备出色的热稳定性和可靠性，适合用于各种工业和消费类电子设备中。其封装形式为表面贴装类型，方便自动化生产和安装。
型号：GA1206A470FBABT31G
类型：N-Channel Power MOSFET
最大漏源电压(Vds)：60V
最大栅极源极电压(Vgs)：±20V
连续漏极电流(Id)：47A
导通电阻(Rds(on))：4mΩ（典型值，在 Vgs=10V 时）
总功耗(Ptot)：185W
工作温度范围(Ta)：-55°C 至 +175°C
封装形式：TO-263 (D2PAK)
1. 采用先进沟槽技术制造，确保低导通电阻和高效率。
2. 快速开关特性，能够减少开关损耗并提升系统性能。
3. 具备较高的电流承载能力，适合大功率应用场景。
4. 热稳定性优秀，能够在高温环境下长期运行。
5. 符合 RoHS 标准，环保且可靠。
6. 表面贴装封装，便于实现自动化生产，提高组装效率。
7. 内置 ESD 保护功能，增强了芯片的抗静电能力。
1. 开关电源（SMPS）中的主开关元件。
2. DC-DC 转换器的核心功率器件。
3. 电机驱动电路中的功率开关。
4. 工业控制领域中的负载切换。
5. 电池管理系统中的充放电控制。
6. 汽车电子系统中的电源管理与控制。
7. 各种需要高效功率转换的消费类电子产品。
IRFZ44N
STP45NF06L
FDP5580
AO3400
