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GA1206A392GBBBR31G 发布时间 时间:2025/5/12 19:09:05 查看 阅读:23

GA1206A392GBBBR31G 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片,专为高效率、低损耗的应用场景设计。该芯片采用先进的半导体工艺制造,具有极低的导通电阻和快速的开关特性,适用于电源管理、电机驱动以及 DC-DC 转换等应用领域。
  这款器件通过优化栅极电荷和导通电阻的权衡,实现了卓越的动态性能与静态性能,从而有效降低系统能耗,提高整体效率。

参数

类型:功率 MOSFET
  封装形式:TO-247
  耐压:1200V
  连续漏极电流:6A
  导通电阻:392mΩ
  栅极电荷:35nC
  工作温度范围:-55℃ 至 175℃
  输入电容:1200pF

特性

GA1206A392GBBBR31G 的主要特性包括:
  1. 高耐压能力(1200V),使其能够在高压环境中稳定运行。
  2. 极低的导通电阻(392mΩ),显著减少导通损耗,提升效率。
  3. 快速的开关速度,得益于较小的栅极电荷(35nC),适合高频应用。
  4. 广泛的工作温度范围(-55℃ 至 175℃),适应极端环境下的使用需求。
  5. 符合 RoHS 标准,环保且可靠性高。
  6. 采用 TO-247 封装,易于安装和散热设计。

应用

该芯片广泛应用于以下领域:
  1. 工业电源及适配器设计。
  2. 太阳能逆变器和储能系统的功率转换模块。
  3. 电动车充电设备中的高效功率管理。
  4. 各类电机驱动器,如伺服电机、步进电机等。
  5. 高效 DC-DC 转换器及 PFC(功率因数校正)电路。
  6. 其他需要高电压、大电流切换的应用场景。

替代型号

IRFP460, FQP18N120

GA1206A392GBBBR31G参数

  • 现有数量0现货
  • 价格在售
  • 系列GA
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态在售
  • 电容3900 pF
  • 容差±2%
  • 电压 - 额定100V
  • 温度系数C0G,NP0
  • 工作温度-55°C ~ 150°C
  • 特性-
  • 等级AEC-Q200
  • 应用汽车级
  • 故障率-
  • 安装类型表面贴装,MLCC
  • 封装/外壳1206(3216 公制)
  • 大小 / 尺寸0.126" 长 x 0.063" 宽(3.20mm x 1.60mm)
  • 高度 - 安装(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.067"(1.70mm)
  • 引线间距-
  • 引线样式-