GA1206A390GXBBC31G是一款高性能的功率MOSFET芯片,主要应用于开关电源、DC-DC转换器、电机驱动和负载开关等领域。该芯片采用先进的制造工艺,具有低导通电阻、高效率和优异的热性能等特点,适合对功率密度和能效有较高要求的应用场景。
该器件基于N沟道增强型MOSFET技术设计,支持高频开关操作,并具备出色的抗电磁干扰能力,确保系统在复杂环境下的稳定运行。
最大漏源电压:60V
连续漏极电流:39A
导通电阻:1.5mΩ
栅极电荷:85nC
开关频率:1MHz
封装形式:TO-247
1. 超低导通电阻(Rds(on))确保更高的转换效率和更低的功耗。
2. 高额定电流能力,适用于大功率应用场合。
3. 快速开关性能,能够有效减少开关损耗。
4. 内置ESD保护电路,增强芯片的可靠性和耐用性。
5. 紧凑型封装设计,便于布局和散热管理。
6. 符合RoHS标准,环保无铅材料。
1. 开关模式电源(SMPS)
2. DC-DC转换器
3. 电动工具及家电中的电机驱动
4. 工业自动化设备中的负载控制
5. 汽车电子系统的功率管理
6. 太阳能逆变器和储能系统的功率转换模块
IRF3205
STP36NF06
FDP5510
AO3400