晶体管类型：NPN 双极型晶体管
　　最大集电极电流（Ic）：100 mA
　　最大集电极-发射极电压（Vce）：15 V
　　最大集电极-基极电压（Vcb）：30 V
　　最大功耗（Ptot）：300 mW
　　过渡频率（fT）：250 MHz
　　集电极-发射极饱和电压（Vce(sat)）：0.2 V（典型值）
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　封装类型：SOT-23（三引脚小外形晶体管封装）

BFP181TRW 在射频和高频应用中表现出色，其主要特性包括高过渡频率（fT）为250 MHz，使其适用于高频放大器和混频器设计。该晶体管具有良好的线性度和低噪声系数，有助于提高通信系统的信号质量和接收灵敏度。
　　其SOT-23封装形式不仅体积小巧，便于在高密度PCB设计中使用，还具备良好的热稳定性和机械可靠性。此外，BFP181TRW 的工作温度范围广泛，支持从-55°C到+150°C的工业级温度范围，确保在极端环境下的稳定运行。
　　该器件的低饱和压降（Vce(sat)）特性有助于减少功耗并提高效率，适用于电池供电设备和低功耗系统。此外，其高截止频率和优异的射频性能使其成为UHF（超高频）和VHF（甚高频）应用的理想选择。
　　综上所述，BFP181TRW 凭借其高性能、小封装和广泛的工作温度范围，成为射频放大器、低噪声放大器（LNA）、无线通信模块和测试设备中常用的晶体管之一。

BFP181TRW 主要应用于射频和高频电子系统中，包括无线通信设备中的低噪声放大器（LNA）、中频放大器、混频器以及射频功率放大器的前级放大电路。此外，它也常用于广播接收器、测试与测量设备、射频识别（RFID）系统以及各种高频信号处理电路中。其优异的高频性能和紧凑的SOT-23封装使其非常适合用于空间受限的便携式电子产品和射频前端模块。

BFQ181, BFR181, BFQ180, BFP180