时间：2025/5/28 21:10:57
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GA1206A331KBLBR31G 是一款由 ON Semiconductor（安森美半导体）生产的肖特基二极管阵列。该器件采用先进的肖特基技术，具有低正向压降和快速恢复时间的特性，非常适合用于高频开关、续流保护以及防止反向电压的应用场景。
此型号属于 GA12 系列，封装形式为 SOIC-8，内部包含多个肖特基二极管以实现复杂电路中的多种功能。
最大工作电压：60V
最大正向电流：1.5A
正向电压：0.3V（典型值，@If=1A）
反向漏电流：10uA（最大值，@25°C）
结电容：4pF
工作温度范围：-55°C 至 +150°C
封装形式：SOIC-8
GA1206A331KBLBR31G 的主要特性包括：
1. 超低正向压降，有助于减少功率损耗并提高效率。
2. 快速恢复时间，确保在高频应用中表现出色。
3. 高浪涌能力，可承受瞬间大电流冲击。
4. 小型封装设计，节省PCB空间。
5. 可靠性高，适用于工业级和汽车级应用环境。
6. 符合 RoHS 标准，环保无铅工艺。
这些特性使得该器件非常适合用作保护电路中的关键元件。
该元器件广泛应用于以下领域：
1. 开关电源 (SMPS) 中的续流保护。
2. 数据通信设备中的过压保护。
3. 汽车电子系统中的反向电池保护。
4. 工业控制中的信号隔离与保护。
5. 各种便携式电子设备中的防反接设计。
由于其优异的性能和可靠性，GA1206A331KBLBR31G 成为了许多工程师在设计时的首选方案。
GBU806A, SS14, MBR150
