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GA1206A272JBCBR31G 发布时间 时间:2025/5/30 14:48:01 查看 阅读:8

GA1206A272JBCBR31G 是一款高性能的功率MOSFET芯片,专为高效率、低功耗的应用场景设计。该芯片采用了先进的制造工艺,具备出色的开关特性和导通性能,适用于电源管理、电机驱动和工业控制等领域。
  其主要特点是低导通电阻、快速开关速度以及良好的热稳定性,能够显著提升系统能效并降低发热。

参数

型号:GA1206A272JBCBR31G
  类型:N-Channel MOSFET
  VDS(漏源电压):60V
  RDS(on)(导通电阻):2.7mΩ
  ID(连续漏极电流):90A
  Qg(栅极电荷):58nC
  VGS(栅源电压):±20V
  fT(截止频率):1.4MHz
  封装形式:TO-247-3
  工作温度范围:-55℃ 至 +175℃

特性

GA1206A272JBCBR31G 具有以下突出特性:
  1. 极低的导通电阻,仅为2.7mΩ,能够有效减少功率损耗。
  2. 快速的开关速度,得益于其优化的栅极电荷设计,适合高频应用。
  3. 高电流承载能力,支持高达90A的连续漏极电流。
  4. 强大的热性能,采用大尺寸金属封装,提高了散热效率。
  5. 宽泛的工作温度范围,使其能够在极端环境下稳定运行。
  6. 符合RoHS标准,绿色环保,无有害物质。

应用

该芯片广泛应用于多种领域,包括但不限于:
  1. 开关电源(SMPS),如AC-DC适配器和DC-DC转换器。
  2. 电机驱动电路,用于电动车、家用电器等。
  3. 工业自动化设备中的负载切换和保护。
  4. 太阳能逆变器及储能系统的功率转换模块。
  5. 电池管理系统(BMS),提供高效的充放电控制。
  6. LED照明驱动,确保高亮度输出的同时保持节能效果。

替代型号

IRFZ44N, FDP5500NL, STP90NF06L

GA1206A272JBCBR31G参数

  • 现有数量0现货
  • 价格在售
  • 系列GA
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态在售
  • 电容2700 pF
  • 容差±5%
  • 电压 - 额定200V
  • 温度系数C0G,NP0
  • 工作温度-55°C ~ 150°C
  • 特性-
  • 等级AEC-Q200
  • 应用汽车级
  • 故障率-
  • 安装类型表面贴装,MLCC
  • 封装/外壳1206(3216 公制)
  • 大小 / 尺寸0.126" 长 x 0.063" 宽(3.20mm x 1.60mm)
  • 高度 - 安装(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.067"(1.70mm)
  • 引线间距-
  • 引线样式-