GA1206A272JBCBR31G 是一款高性能的功率MOSFET芯片,专为高效率、低功耗的应用场景设计。该芯片采用了先进的制造工艺,具备出色的开关特性和导通性能,适用于电源管理、电机驱动和工业控制等领域。
其主要特点是低导通电阻、快速开关速度以及良好的热稳定性,能够显著提升系统能效并降低发热。
型号:GA1206A272JBCBR31G
类型:N-Channel MOSFET
VDS(漏源电压):60V
RDS(on)(导通电阻):2.7mΩ
ID(连续漏极电流):90A
Qg(栅极电荷):58nC
VGS(栅源电压):±20V
fT(截止频率):1.4MHz
封装形式:TO-247-3
工作温度范围:-55℃ 至 +175℃
GA1206A272JBCBR31G 具有以下突出特性:
1. 极低的导通电阻,仅为2.7mΩ,能够有效减少功率损耗。
2. 快速的开关速度,得益于其优化的栅极电荷设计,适合高频应用。
3. 高电流承载能力,支持高达90A的连续漏极电流。
4. 强大的热性能,采用大尺寸金属封装,提高了散热效率。
5. 宽泛的工作温度范围,使其能够在极端环境下稳定运行。
6. 符合RoHS标准,绿色环保,无有害物质。
该芯片广泛应用于多种领域,包括但不限于:
1. 开关电源(SMPS),如AC-DC适配器和DC-DC转换器。
2. 电机驱动电路,用于电动车、家用电器等。
3. 工业自动化设备中的负载切换和保护。
4. 太阳能逆变器及储能系统的功率转换模块。
5. 电池管理系统(BMS),提供高效的充放电控制。
6. LED照明驱动,确保高亮度输出的同时保持节能效果。
IRFZ44N, FDP5500NL, STP90NF06L