时间：2025/8/20 17:08:49
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2SK117-Y是一种N沟道增强型MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），常用于高频放大器和开关电路中。该器件具有低导通电阻、高开关速度和良好的热稳定性，适用于电源管理、音频放大、DC-DC转换器等多种电子应用。其封装形式通常为TO-92或类似的小型封装，便于在各类电路中使用。
类型：N沟道MOSFET
最大漏极电流（ID）：100mA
最大漏源电压（VDS）：30V
最大栅源电压（VGS）：±20V
导通电阻（RDS(on))：约10Ω
功率耗散（PD）：300mW
工作温度范围：-55°C至+150°C
封装形式：TO-92 或等效小型封装
2SK117-Y的主要特性包括其低导通电阻和高开关速度，这使得它非常适合用于高频开关电路。此外，该器件具有良好的热稳定性和较高的可靠性，能够在较宽的温度范围内稳定工作。由于其小型封装，2SK117-Y在空间受限的设计中也非常实用。
该MOSFET的栅极绝缘层提供了良好的电压控制能力，使得其导通和关断状态能够被精确控制。它还具有较低的漏电流，在关断状态下功耗极低，适合用于节能型电子设备。
此外，2SK117-Y在制造工艺上采用了成熟的硅基技术，具有良好的一致性与稳定性，适合批量应用。由于其结构简单，外围电路设计也相对容易，降低了整体设计的复杂度。
2SK117-Y广泛应用于低功率开关电路、信号放大器、逻辑电路驱动、DC-DC转换器、LED驱动电路以及电池供电设备中的电源管理模块。在音频放大电路中，它可以用于前置放大器或低噪声放大器部分。此外，该器件也常见于传感器接口电路和微控制器外围电路中。
2SK117-G、2SK117-GR、2SK117-O
