GA1206A272FBABT31G 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片,主要应用于高效率开关电源、DC-DC 转换器、电机驱动以及负载开关等场景。该芯片采用先进的制程工艺设计,具备低导通电阻和快速开关速度的特点,能够显著降低系统功耗并提高整体性能。
该器件属于 N 沟道增强型 MOSFET,其封装形式为行业标准的 FBAB 封装,具有良好的散热特性和机械稳定性。通过优化的栅极驱动设计,GA1206A272FBABT31G 在高频应用中表现出优异的性能。
最大漏源电压:60V
连续漏极电流:27A
导通电阻:2mΩ
栅极电荷:15nC
开关时间:开启时间 12ns,关闭时间 18ns
工作结温范围:-55℃ 至 +175℃
GA1206A272FBABT31G 的主要特性包括:
1. 极低的导通电阻(Rds(on)),有效减少传导损耗,提升系统效率。
2. 快速的开关速度,适合高频开关应用,降低开关损耗。
3. 高雪崩能量能力,增强在异常条件下的鲁棒性。
4. 栅极阈值电压经过优化,确保兼容各类驱动电路。
5. 符合 RoHS 标准,环保且适用于现代电子设计要求。
6. 提供卓越的热性能,支持高功率密度设计。
7. 具备出色的 EMC 特性,减少电磁干扰对系统的影响。
这款功率 MOSFET 广泛应用于以下领域:
1. 开关电源(SMPS)中的主开关管或同步整流管。
2. DC-DC 转换器,如降压、升压及正负转换电路。
3. 电动工具、家用电器和其他消费类产品的电机驱动。
4. 工业自动化设备中的负载开关和保护电路。
5. 电池管理系统(BMS)中的充放电控制开关。
6. 数据通信设备中的电源管理单元。
IRFZ44N, FDP16N60C, SI4872DY