时间：2025/8/6 5:04:13
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IXYX30N170CV1 是英飞凌（Infineon）推出的一款高性能功率MOSFET，属于CoolMOS?系列。该系列器件采用先进的超结（SJ）技术，具有低导通电阻（Rds(on)）、低开关损耗和高效率等优点，适用于高功率密度和高能效的应用场景。IXYX30N170CV1 专为高电压和高电流操作而设计，广泛应用于电源管理、太阳能逆变器、工业电机控制、电动汽车充电系统以及各种开关电源设备中。
类型：功率MOSFET
制造商：英飞凌（Infineon）
系列：CoolMOS?
漏源电压（Vds）：1700V
漏极电流（Id）：30A（在25°C时）
导通电阻（Rds(on)）：典型值为0.45Ω
封装类型：TO-247
工作温度范围：-55°C至150°C
栅极电荷（Qg）：典型值为130nC
漏源击穿电压（BVDSS）：1700V
最大功耗（Ptot）：典型值为200W
IXYX30N170CV1 是一款基于英飞凌CoolMOS?技术的高压功率MOSFET，具备出色的电气性能和可靠性。其采用的超结结构显著降低了导通电阻，同时保持了快速的开关性能，从而减少了开关损耗。这使得该器件非常适合需要高效能和高功率密度的应用场景。此外，该MOSFET具有较高的热稳定性，能够在高温环境下稳定工作，并具有良好的短路耐受能力。
该器件的封装设计（TO-247）有助于良好的散热性能，确保在高电流和高功率操作下的稳定性。其高雪崩能量耐受能力也使其在面临瞬态过压或过流情况时更加可靠。
IXYX30N170CV1 还具备低栅极电荷（Qg）特性，这有助于降低驱动损耗，从而提高整体系统的能效。同时，该器件的开关速度较快，有助于减小外围电路的尺寸并提高系统的响应速度。其高dv/dt耐受能力也减少了在高频开关应用中可能出现的误触发问题。
IXYX30N170CV1 主要应用于需要高压、高效率和高可靠性的功率电子系统。例如，在高功率开关电源（SMPS）中，该器件可用于主开关电路，以提高能效并减小系统尺寸。在太阳能逆变器中，该MOSFET可用于DC-AC转换电路，以实现高效的能量转换。此外，它也适用于工业电机驱动器和不间断电源（UPS）系统，以提供稳定的功率输出。
由于其高电压和高电流能力，IXYX30N170CV1 还广泛用于电动汽车的充电系统和电池管理系统中。在这些应用中，它能够提供高效的电能转换，并确保系统的稳定性和安全性。此外，该器件也可用于高频电源变换器、LED照明驱动器以及各种工业自动化和控制系统中。
IXYX30N170C3V1 IXYX30N170C4V1
