GA1206A222FBCBT31G 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片,属于沟道增强型 MOSFET 系列。该芯片主要应用于高效率开关电源、电机驱动和负载切换等领域,具有低导通电阻、高开关速度以及出色的热性能。
此型号中的 GA1206 表示其为 120V 额定电压等级的 MOSFET,具体参数和封装设计使其适用于工业级应用环境。
额定电压:120V
连续漏极电流:65A
导通电阻:2.2mΩ
栅极电荷:95nC
总电容:2400pF
工作温度范围:-55℃ 至 +175℃
GA1206A222FBCBT31G 的主要特点是低导通电阻(Rds(on)),这可以显著降低功率损耗并提高系统效率。此外,该器件还具备快速开关性能,适合高频应用场合。
它采用了先进的制程技术以优化热阻,并且通过强化封装设计进一步增强了散热能力。同时,该芯片具有较高的雪崩击穿能力和 ESD 防护等级,能够有效防止过载或异常情况下的损坏。
其封装形式为 TO-247-3L,提供良好的电气连接与机械稳定性,便于安装在各种 PCB 板上。
该芯片广泛应用于直流-直流转换器、电动工具、太阳能逆变器、不间断电源(UPS)、电动汽车牵引逆变器以及其他需要高效功率转换的场景。
由于其高电流承载能力和低导通电阻,GA1206A222FBCBT31G 特别适合于大功率密度设计,能够在紧凑的空间内实现强大的功能。
GA1206A222FBCT31G, IRFZ44N, FDP5500