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GA1206A221KXEBR31G 发布时间 时间:2025/5/24 13:26:19 查看 阅读:13

GA1206A221KXEBR31G是一款高性能的功率MOSFET器件,主要用于开关电源、电机驱动、DC-DC转换器等应用。该芯片采用先进的制程工艺制造,具备低导通电阻和高效率的特点,能够有效降低系统能耗并提高整体性能。
  这款功率MOSFET适用于需要高效能和快速开关的应用场景,具有出色的热稳定性和可靠性,能够在严苛的工作条件下长期运行。

参数

型号:GA1206A221KXEBR31G
  类型:N-Channel MOSFET
  最大漏源电压(Vds):120V
  最大栅源电压(Vgs):±20V
  持续漏极电流(Id):6.5A
  导通电阻(Rds(on)):0.18Ω
  总功耗(Ptot):17W
  工作温度范围:-55°C to 150°C
  封装形式:TO-220AC

特性

GA1206A221KXEBR31G具备以下主要特性:
  1. 极低的导通电阻(0.18Ω),有助于减少传导损耗,提升系统效率。
  2. 高速开关能力,适合高频应用环境。
  3. 良好的热稳定性,确保在高温环境下也能保持优异性能。
  4. 高雪崩能量能力,增强对瞬态电压的承受能力。
  5. 内置ESD保护功能,提高器件的可靠性和抗干扰能力。
  6. 符合RoHS标准,环保且满足国际法规要求。
  这些特点使得GA1206A221KXEBR31G成为多种工业和消费电子应用的理想选择。

应用

GA1206A221KXEBR31G广泛应用于以下领域:
  1. 开关电源(SMPS)中的主开关管或同步整流管。
  2. DC-DC转换器及升降压电路设计。
  3. 各类电机驱动电路,例如步进电机、直流无刷电机等。
  4. 工业控制设备中的负载切换和保护。
  5. 汽车电子中的电池管理系统(BMS)以及车身控制模块(BCM)。
  其强大的性能和灵活性使其成为众多电力电子应用的核心组件。

替代型号

GA1206A221KXEBR31G-A, IRFZ44N, FDP5800

GA1206A221KXEBR31G参数

  • 现有数量0现货
  • 价格在售
  • 系列GA
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态在售
  • 电容220 pF
  • 容差±10%
  • 电压 - 额定500V
  • 温度系数C0G,NP0
  • 工作温度-55°C ~ 150°C
  • 特性-
  • 等级AEC-Q200
  • 应用汽车级
  • 故障率-
  • 安装类型表面贴装,MLCC
  • 封装/外壳1206(3216 公制)
  • 大小 / 尺寸0.126" 长 x 0.063" 宽(3.20mm x 1.60mm)
  • 高度 - 安装(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.067"(1.70mm)
  • 引线间距-
  • 引线样式-