时间：2025/6/29 11:36:59
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GA1206A221JBLBR31G是一款高性能的功率MOSFET芯片，属于沟道型MOSFET器件。该型号主要应用于开关电源、DC-DC转换器、电机驱动以及负载开关等场景中。其优异的导通电阻和开关特性使其成为高效率功率转换应用的理想选择。
这款MOSFET采用先进的半导体制造工艺，能够在高频和高电流条件下保持稳定的性能表现。同时，它具有较低的栅极电荷和输出电容，能够显著降低开关损耗并提高系统效率。
类型：N沟道 MOSFET
最大漏源电压(Vds)：60V
最大栅源电压(Vgs)：±20V
连续漏极电流(Id)：50A
导通电阻(Rds(on))：1.2mΩ
栅极电荷(Qg)：49nC
输入电容(Ciss)：2080pF
输出电容(Coss)：260pF
反向恢复时间(trr)：70ns
工作结温范围：-55°C 至 +175°C
1. 极低的导通电阻Rds(on)，有助于减少传导损耗，提升整体效率。
2. 快速的开关速度和低栅极电荷，有效降低开关损耗。
3. 具备较高的雪崩击穿能力，增强了器件在异常条件下的可靠性。
4. 紧凑的封装设计，适合高密度电路布局。
5. 宽广的工作温度范围，适用于各种恶劣环境下的应用。
6. 符合RoHS标准，环保无铅工艺制造。
1. 开关电源(SMPS)中的主开关管或同步整流管。
2. DC-DC转换器中的功率开关。
3. 电机驱动中的H桥或半桥配置。
4. 负载开关和保护电路中的快速切换元件。
5. UPS不间断电源系统中的功率级控制。
6. 各类工业自动化设备中的功率管理模块。
GA1206A221JBLBR30G, GA1206A221JBLBR32G, IRF540N, FDP5500
