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GA1206A221JBBBR31G 发布时间 时间:2025/6/3 22:02:15 查看 阅读:5

GA1206A221JBBBR31G 是一款高性能的功率MOSFET芯片,广泛应用于电源管理、电机驱动以及各类开关电路中。该芯片属于沟槽型MOSFET技术,具备低导通电阻和高开关速度的特点,能够显著提升系统效率并降低能耗。
  其封装形式为行业标准的表面贴装器件(SMD),便于自动化生产,并具有良好的热性能表现。

参数

型号:GA1206A221JBBBR31G
  类型:N-Channel MOSFET
  最大漏源电压(Vds):60V
  最大栅源电压(Vgs):±20V
  连续漏极电流(Id):22A
  导通电阻(Rds(on)):2.5mΩ(典型值,在Vgs=10V时)
  栅极电荷(Qg):48nC(典型值)
  开关速度:快速开关
  工作温度范围:-55℃ to +175℃
  封装形式:TO-263 (D2PAK)

特性

GA1206A221JBBBR31G 的主要特性包括:
  1. 极低的导通电阻,确保高效的功率转换,减少发热和功耗。
  2. 快速开关能力,适合高频应用环境,例如DC-DC转换器和同步整流电路。
  3. 高额定电流支持,适用于大功率负载场景。
  4. 稳健的电气特性和可靠性设计,能够在极端温度范围内正常运行。
  5. 小巧的表面贴装封装,简化了PCB布局和制造流程。
  6. 内置ESD保护机制,提高了产品的耐用性。

应用

这款芯片的应用领域非常广泛,具体包括:
  1. 开关电源(SMPS)中的主开关管或同步整流管。
  2. 电动工具及家用电器中的电机驱动控制。
  3. 汽车电子系统中的负载切换与保护功能。
  4. 工业自动化设备中的电源管理和信号调节。
  5. LED照明驱动电路中的高效功率转换组件。
  6. 各类电池管理系统(BMS)中的充放电控制模块。

替代型号

IRFZ44N, FDP55N06L, AO3400A

GA1206A221JBBBR31G参数

  • 现有数量0现货
  • 价格在售
  • 系列GA
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态在售
  • 电容220 pF
  • 容差±5%
  • 电压 - 额定100V
  • 温度系数C0G,NP0
  • 工作温度-55°C ~ 150°C
  • 特性-
  • 等级AEC-Q200
  • 应用汽车级
  • 故障率-
  • 安装类型表面贴装,MLCC
  • 封装/外壳1206(3216 公制)
  • 大小 / 尺寸0.126" 长 x 0.063" 宽(3.20mm x 1.60mm)
  • 高度 - 安装(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.067"(1.70mm)
  • 引线间距-
  • 引线样式-