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GA1206A221GXLBT31G 发布时间 时间:2025/5/21 11:11:40 查看 阅读:17

GA1206A221GXLBT31G 是一款高性能的射频功率放大器芯片,主要用于无线通信领域中的信号放大。该芯片采用先进的半导体工艺制造,具有高效率、高增益和低失真的特点,适用于多种无线通信标准,包括 LTE、WCDMA 和 GSM 等。其设计旨在满足现代通信系统对功率和线性度的严格要求。

参数

型号:GA1206A221GXLBT31G
  工作频率范围:1710 MHz 至 2170 MHz
  输出功率:30 dBm
  增益:15 dB
  电源电压:3.4 V
  电流消耗:典型值为 950 mA
  封装形式:QFN-16
  工作温度范围:-40°C 至 +85°C

特性

GA1206A221GXLBT31G 具备以下显著特性:
  1. 高效率:在满功率输出时,能够提供超过 50% 的功率附加效率(PAE)。
  2. 高线性度:通过内置的预失真电路,有效降低了信号失真,提高了通信质量。
  3. 内置匹配网络:芯片内部集成了输入和输出匹配网络,简化了外部电路设计。
  4. 易于使用:支持简单的偏置设置,减少了外部元件数量。
  5. 稳定性强:经过优化的设计使其能够在宽广的工作温度范围内保持稳定的性能。

应用

该芯片广泛应用于以下领域:
  1. 智能手机和其他移动设备中的射频功率放大模块。
  2. 基站收发信台(BTS)的小型化功率放大解决方案。
  3. 车载通信设备中的无线信号增强。
  4. Wi-Fi 热点以及物联网(IoT)设备的射频前端设计。
  5. 各种便携式无线通信终端产品。

替代型号

MMPF12N20,
  HMC750LP5E,
  BTC0.15N03L

GA1206A221GXLBT31G参数

  • 现有数量0现货
  • 价格在售
  • 系列GA
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态在售
  • 电容220 pF
  • 容差±2%
  • 电压 - 额定630V
  • 温度系数C0G,NP0
  • 工作温度-55°C ~ 150°C
  • 特性-
  • 等级AEC-Q200
  • 应用汽车级
  • 故障率-
  • 安装类型表面贴装,MLCC
  • 封装/外壳1206(3216 公制)
  • 大小 / 尺寸0.126" 长 x 0.063" 宽(3.20mm x 1.60mm)
  • 高度 - 安装(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.067"(1.70mm)
  • 引线间距-
  • 引线样式-