时间：2025/9/14 0:06:43
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PXN7R7-25QLJ 是一款由 IXYS 公司生产的功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要用于高效率功率转换应用。这款MOSFET采用了先进的沟道技术，具有低导通电阻（RDS(on)）和高电流处理能力，适用于电源管理、电机控制、逆变器和DC-DC转换器等高功率电子系统。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压（VDS）：250V
栅源电压（VGS）：±20V
连续漏极电流（ID）：7A
脉冲漏极电流（IDM）：28A
导通电阻（RDS(on)）：最大1.2Ω（在VGS=10V时）
工作温度范围：-55°C至+150°C
封装形式：TO-220
功率耗散（PD）：50W
栅极电荷（Qg）：23nC
输入电容（Ciss）：900pF
PXN7R7-25QLJ 具备出色的导通和开关性能，主要得益于其优化的硅片设计和封装技术。该器件的低RDS(on)确保了在高电流条件下仍能保持较低的导通损耗，从而提高整体系统效率。此外，其高耐压能力（250V）使其适用于中高压功率转换系统。
该MOSFET采用了坚固的平面沟道结构，具有良好的热稳定性和长期可靠性。其TO-220封装形式便于安装在散热器上，从而有效控制工作温度，延长器件寿命。此外，该器件具备较高的雪崩能量承受能力，增强了在极端工作条件下的鲁棒性。
在动态性能方面，PXN7R7-25QLJ 具有较低的栅极电荷（Qg）和输入电容（Ciss），这有助于降低高频开关应用中的开关损耗，提高系统的响应速度和能效。同时，其快速恢复的内部体二极管也适用于需要反向电流续流的应用，如电机驱动和同步整流。
由于其良好的热性能和高耐压特性，该MOSFET适用于多种电源拓扑结构，包括降压（Buck）、升压（Boost）、半桥和全桥转换器等。其宽广的工作温度范围（-55°C至+150°C）也使其能在严苛的工业和汽车环境中稳定运行。
PXN7R7-25QLJ 常用于各类高功率电子设备中，如工业电源、DC-DC转换器、逆变器、电机控制器、UPS（不间断电源）、太阳能逆变器以及电动工具和电动车的功率管理系统。此外，该MOSFET也广泛应用于家用电器和消费类电子产品的功率控制模块中。
IXTP7R250P, FDPF7R250N, STP7NK25Z, IRFPG50
