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GA1206A220JBBBR31G 发布时间 时间:2025/6/3 22:09:32 查看 阅读:3

GA1206A220JBBBR31G 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片,广泛应用于电源管理、开关电路和电机驱动等领域。该器件采用先进的沟槽式 MOSFET 技术制造,具有低导通电阻和快速开关特性,能够显著提高系统效率并降低能耗。
  这款芯片特别适合于需要高效率和高可靠性的应用场合,例如服务器电源、通信设备、工业自动化和消费类电子产品等。其封装形式为 TO-263,具有良好的散热性能和电气性能。

参数

型号:GA1206A220JBBBR31G
  类型:N沟道增强型MOSFET
  最大漏源电压(Vds):60V
  最大栅源电压(Vgs):±20V
  最大连续漏电流(Id):150A
  导通电阻(Rds(on)):1.5mΩ(典型值,在Vgs=10V时)
  总功耗(Ptot):175W
  工作温度范围(Tj):-55℃至+175℃
  封装:TO-263

特性

1. 极低的导通电阻,可有效减少传导损耗,提升整体效率。
  2. 快速的开关速度,支持高频应用,降低开关损耗。
  3. 高雪崩能量能力,增强系统的鲁棒性和可靠性。
  4. 内置反向恢复二极管,优化了续流性能,适用于同步整流和逆变器设计。
  5. 符合 RoHS 标准,绿色环保,满足国际法规要求。
  6. 支持大电流应用,具备出色的热稳定性,适合高功率密度设计。

应用

1. 开关电源(SMPS):
   - AC/DC转换器
   - DC/DC转换器
  2. 电机驱动:
   - 无刷直流电机控制器
   - 步进电机驱动
  3. 工业自动化:
   - 可编程逻辑控制器(PLC)
   - 工业机器人控制
  4. 消费类电子产品:
   - 笔记本电脑适配器
   - 显示器电源
  5. 通信设备:
   - 基站电源
   - 网络交换机电源模块

替代型号

GA1206A220JBBBR28G, GA1206A220JBBBR32G

GA1206A220JBBBR31G参数

  • 现有数量0现货
  • 价格停产
  • 系列GA
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态停产
  • 电容22 pF
  • 容差±5%
  • 电压 - 额定100V
  • 温度系数C0G,NP0
  • 工作温度-55°C ~ 150°C
  • 特性-
  • 等级AEC-Q200
  • 应用汽车级
  • 故障率-
  • 安装类型表面贴装,MLCC
  • 封装/外壳1206(3216 公制)
  • 大小 / 尺寸0.126" 长 x 0.063" 宽(3.20mm x 1.60mm)
  • 高度 - 安装(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.067"(1.70mm)
  • 引线间距-
  • 引线样式-