时间：2025/6/3 22:09:32
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GA1206A220JBBBR31G 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片，广泛应用于电源管理、开关电路和电机驱动等领域。该器件采用先进的沟槽式 MOSFET 技术制造，具有低导通电阻和快速开关特性，能够显著提高系统效率并降低能耗。
这款芯片特别适合于需要高效率和高可靠性的应用场合，例如服务器电源、通信设备、工业自动化和消费类电子产品等。其封装形式为 TO-263，具有良好的散热性能和电气性能。
型号：GA1206A220JBBBR31G
类型：N沟道增强型MOSFET
最大漏源电压(Vds)：60V
最大栅源电压(Vgs)：±20V
最大连续漏电流(Id)：150A
导通电阻(Rds(on))：1.5mΩ（典型值，在Vgs=10V时）
总功耗(Ptot)：175W
工作温度范围(Tj)：-55℃至+175℃
封装：TO-263
1. 极低的导通电阻，可有效减少传导损耗，提升整体效率。
2. 快速的开关速度，支持高频应用，降低开关损耗。
3. 高雪崩能量能力，增强系统的鲁棒性和可靠性。
4. 内置反向恢复二极管，优化了续流性能，适用于同步整流和逆变器设计。
5. 符合 RoHS 标准，绿色环保，满足国际法规要求。
6. 支持大电流应用，具备出色的热稳定性，适合高功率密度设计。
1. 开关电源(SMPS)：
- AC/DC转换器
- DC/DC转换器
2. 电机驱动：
- 无刷直流电机控制器
- 步进电机驱动
3. 工业自动化：
- 可编程逻辑控制器(PLC)
- 工业机器人控制
4. 消费类电子产品：
- 笔记本电脑适配器
- 显示器电源
5. 通信设备：
- 基站电源
- 网络交换机电源模块
GA1206A220JBBBR28G, GA1206A220JBBBR32G
