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GA1206A220JBABT31G 发布时间 时间:2025/7/1 14:49:37 查看 阅读:14

GA1206A220JBABT31G 是一款高性能的功率MOSFET芯片,主要应用于开关电源、电机驱动、DC-DC转换器等高效率电力电子设备中。该器件采用了先进的沟槽式MOSFET制造工艺,具有低导通电阻和快速开关特性,能够显著降低能量损耗并提升系统效率。
  该芯片在设计上注重优化动态性能和热性能,适合要求苛刻的工业及消费类应用场景。

参数

型号:GA1206A220JBABT31G
  类型:N-Channel MOSFET
  最大漏源电压(Vds):120V
  最大栅源电压(Vgs):±20V
  连续漏极电流(Id):65A
  导通电阻(Rds(on)):2.2mΩ(典型值,在Vgs=10V时)
  总栅极电荷(Qg):98nC
  输入电容(Ciss):4700pF
  输出电容(Coss):110pF
  反向恢复时间(trr):35ns
  工作结温范围:-55℃至+175℃

特性

1. 超低导通电阻,减少传导损耗。
  2. 快速开关速度,降低开关损耗。
  3. 高雪崩能量能力,增强可靠性。
  4. 小型封装设计,便于PCB布局。
  5. 具备出色的热稳定性和抗静电能力。
  6. 符合RoHS标准,环保安全。
  7. 可承受高频工作环境,适合现代高效能电路需求。
  8. 提供了更宽泛的工作温度范围,适应多种极端条件下的应用。

应用

1. 开关电源(SMPS)中的主开关管或同步整流管。
  2. 工业电机驱动及控制电路。
  3. 电动汽车和混合动力汽车的逆变器模块。
  4. 高效DC-DC转换器的核心功率器件。
  5. 太阳能逆变器及其他可再生能源系统的功率转换组件。
  6. 各类负载切换和保护电路。

替代型号

IRFP260N
  FDP16N120
  STW82N120K5

GA1206A220JBABT31G参数

  • 现有数量0现货
  • 价格停产
  • 系列GA
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态停产
  • 电容22 pF
  • 容差±5%
  • 电压 - 额定50V
  • 温度系数C0G,NP0
  • 工作温度-55°C ~ 150°C
  • 特性-
  • 等级AEC-Q200
  • 应用汽车级
  • 故障率-
  • 安装类型表面贴装,MLCC
  • 封装/外壳1206(3216 公制)
  • 大小 / 尺寸0.126" 长 x 0.063" 宽(3.20mm x 1.60mm)
  • 高度 - 安装(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.067"(1.70mm)
  • 引线间距-
  • 引线样式-