时间：2025/7/1 14:49:37
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GA1206A220JBABT31G 是一款高性能的功率MOSFET芯片，主要应用于开关电源、电机驱动、DC-DC转换器等高效率电力电子设备中。该器件采用了先进的沟槽式MOSFET制造工艺，具有低导通电阻和快速开关特性，能够显著降低能量损耗并提升系统效率。
该芯片在设计上注重优化动态性能和热性能，适合要求苛刻的工业及消费类应用场景。
型号：GA1206A220JBABT31G
类型：N-Channel MOSFET
最大漏源电压(Vds)：120V
最大栅源电压(Vgs)：±20V
连续漏极电流(Id)：65A
导通电阻(Rds(on))：2.2mΩ（典型值，在Vgs=10V时）
总栅极电荷(Qg)：98nC
输入电容(Ciss)：4700pF
输出电容(Coss)：110pF
反向恢复时间(trr)：35ns
工作结温范围：-55℃至+175℃
1. 超低导通电阻，减少传导损耗。
2. 快速开关速度，降低开关损耗。
3. 高雪崩能量能力，增强可靠性。
4. 小型封装设计，便于PCB布局。
5. 具备出色的热稳定性和抗静电能力。
6. 符合RoHS标准，环保安全。
7. 可承受高频工作环境，适合现代高效能电路需求。
8. 提供了更宽泛的工作温度范围，适应多种极端条件下的应用。
1. 开关电源(SMPS)中的主开关管或同步整流管。
2. 工业电机驱动及控制电路。
3. 电动汽车和混合动力汽车的逆变器模块。
4. 高效DC-DC转换器的核心功率器件。
5. 太阳能逆变器及其他可再生能源系统的功率转换组件。
6. 各类负载切换和保护电路。
IRFP260N
FDP16N120
STW82N120K5
