GA1206A220JBABT31G 是一款高性能的功率MOSFET芯片,主要应用于开关电源、电机驱动、DC-DC转换器等高效率电力电子设备中。该器件采用了先进的沟槽式MOSFET制造工艺,具有低导通电阻和快速开关特性,能够显著降低能量损耗并提升系统效率。
该芯片在设计上注重优化动态性能和热性能,适合要求苛刻的工业及消费类应用场景。
型号:GA1206A220JBABT31G
类型:N-Channel MOSFET
最大漏源电压(Vds):120V
最大栅源电压(Vgs):±20V
连续漏极电流(Id):65A
导通电阻(Rds(on)):2.2mΩ(典型值,在Vgs=10V时)
总栅极电荷(Qg):98nC
输入电容(Ciss):4700pF
输出电容(Coss):110pF
反向恢复时间(trr):35ns
工作结温范围:-55℃至+175℃
1. 超低导通电阻,减少传导损耗。
2. 快速开关速度,降低开关损耗。
3. 高雪崩能量能力,增强可靠性。
4. 小型封装设计,便于PCB布局。
5. 具备出色的热稳定性和抗静电能力。
6. 符合RoHS标准,环保安全。
7. 可承受高频工作环境,适合现代高效能电路需求。
8. 提供了更宽泛的工作温度范围,适应多种极端条件下的应用。
1. 开关电源(SMPS)中的主开关管或同步整流管。
2. 工业电机驱动及控制电路。
3. 电动汽车和混合动力汽车的逆变器模块。
4. 高效DC-DC转换器的核心功率器件。
5. 太阳能逆变器及其他可再生能源系统的功率转换组件。
6. 各类负载切换和保护电路。
IRFP260N
FDP16N120
STW82N120K5