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GA1206A1R8DBLBT31G 发布时间 时间:2025/6/3 22:07:57 查看 阅读:4

GA1206A1R8DBLBT31G 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片,采用先进的制造工艺,适用于多种高效率电源管理场景。该芯片具有低导通电阻、高开关速度和出色的热性能,能够在严苛的工作条件下保持稳定运行。
  该器件主要面向工业、通信及消费电子领域,广泛应用于 DC-DC 转换器、电机驱动、负载开关以及其他需要高效功率转换的电路中。

参数

型号:GA1206A1R8DBLBT31G
  类型:N-Channel MOSFET
  额定电压(Vds):60V
  额定电流(Id):120A
  导通电阻(Rds(on)):1.5mΩ(典型值,25°C)
  栅极电荷(Qg):45nC
  最大功耗(PD):200W
  工作温度范围:-55°C 至 +175°C
  封装形式:TO-247

特性

GA1206A1R8DBLBT31G 的主要特性包括:
  1. 极低的导通电阻,确保在高电流应用中的高效功率传输。
  2. 高速开关能力,能够显著降低开关损耗。
  3. 出色的热稳定性,适合长时间高温环境下的持续运行。
  4. 内置反向恢复二极管,可优化电路设计并减少外部元件使用。
  5. 符合 RoHS 标准,环保且支持无铅焊接工艺。
  6. 封装坚固耐用,便于散热管理,提升系统可靠性。

应用

该芯片适用于以下应用:
  1. 开关模式电源(SMPS)中的功率级转换。
  2. 电动汽车(EV)及混合动力汽车(HEV)中的电池管理系统(BMS)。
  3. 工业自动化设备中的电机控制与驱动。
  4. 高效 DC-DC 转换器的设计。
  5. 大功率 LED 驱动电路。
  6. 各种负载开关及保护电路。

替代型号

GA12BT32G, IRFP2907, FDP18N60C

GA1206A1R8DBLBT31G参数

  • 现有数量0现货
  • 价格停产
  • 系列GA
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态停产
  • 电容1.8 pF
  • 容差±0.5pF
  • 电压 - 额定630V
  • 温度系数C0G,NP0
  • 工作温度-55°C ~ 150°C
  • 特性-
  • 等级AEC-Q200
  • 应用汽车级
  • 故障率-
  • 安装类型表面贴装,MLCC
  • 封装/外壳1206(3216 公制)
  • 大小 / 尺寸0.126" 长 x 0.063" 宽(3.20mm x 1.60mm)
  • 高度 - 安装(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.067"(1.70mm)
  • 引线间距-
  • 引线样式-