类型：N沟道MOSFET
　　漏极电流：110A
　　漏源电压：30V
　　栅源电压：±20V
　　导通电阻：约1.8mΩ（典型值）
　　工作温度范围：-55°C至175°C
　　封装：TO-252（DPAK）
　　功率耗散：200W

IR7C02是一款高性能的N沟道功率MOSFET，具有多项优异的电气和热性能特性。首先，它的导通电阻非常低，典型值仅为1.8mΩ，这显著降低了导通状态下的功率损耗，提高了系统的整体效率。这种低导通电阻使得IR7C02在高电流应用中表现优异，适用于电源转换器、电机驱动器和负载开关等场景。
　　其次，IR7C02的最大漏极电流可达110A，漏源电压为30V，这使其能够承受较大的电流和电压应力，适用于高功率密度设计。此外，该器件的栅源电压范围为±20V，提供了较大的驱动灵活性，并能防止栅极过电压损坏。
　　在热管理方面，IR7C02采用了高效的封装技术，能够快速将热量传导到PCB或散热器上，从而保持较低的工作温度。其工作温度范围为-55°C至175°C，适应了广泛的工业环境，确保在极端条件下的可靠运行。
　　此外，IR7C02还具有良好的雪崩能量耐受能力，能够在瞬态过电压情况下保持稳定，提高了系统的安全性和耐用性。这些特性使其成为高性能电源管理系统和电机控制电路中的理想选择。

IR7C02广泛应用于各种高功率和高频率的电子系统中。常见的应用包括DC-DC转换器、同步整流器、负载开关、电机控制器和电池管理系统。在电源管理领域，IR7C02的低导通电阻和高电流能力使其成为高效能电源模块的理想选择。此外，它也常用于工业自动化设备、电动车控制系统和消费类电子产品中的功率控制部分。

IPD90N03S4-03, IRLB8721, FDP047N03