您好,欢迎来到维库电子市场网 登录 | 免费注册

您所在的位置:电子元器件采购网 > IC百科 > GA1206A1R8BXEBC31G

GA1206A1R8BXEBC31G 发布时间 时间:2025/6/30 17:47:53 查看 阅读:3

GA1206A1R8BXEBC31G 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片,主要应用于高效率电源转换和电机驱动等领域。该器件采用了先进的半导体制造工艺,具有低导通电阻、高开关速度和出色的热性能等特点,能够显著提升系统的整体效率和可靠性。
  这款芯片适用于要求严格的工作环境,能够在高频条件下提供稳定的性能表现。

参数

型号:GA1206A1R8BXEBC31G
  类型:N-Channel MOSFET
  漏源极击穿电压(Vds):120V
  连续漏极电流(Id):6A
  导通电阻(Rds(on)):15mΩ
  栅极电荷(Qg):45nC
  最大工作结温范围(Tj):-55℃ to +175℃
  封装形式:TO-263

特性

GA1206A1R8BXEBC31G 的主要特性包括:
  1. 极低的导通电阻 (Rds(on)),可有效降低功耗并提高系统效率。
  2. 高速开关能力,支持高频应用需求。
  3. 出色的热稳定性,即使在极端温度范围内也能保持稳定性能。
  4. 强大的浪涌电流承受能力,确保在短路或过载情况下仍能安全运行。
  5. 小型化封装设计,适合紧凑型电路板布局。
  6. 符合 RoHS 标准,绿色环保。
  这些特性使 GA1206A1R8BXEBC31G 成为许多高效能应用的理想选择。

应用

GA1206A1R8BXEBC31G 广泛应用于以下领域:
  1. 开关电源(SMPS) 和 DC-DC 转换器中的功率开关。
  2. 电动工具和家用电器中的电机驱动。
  3. LED 照明驱动电路。
  4. 汽车电子系统中的负载切换。
  5. 工业自动化设备中的信号隔离与功率传输。
  6. 充电器和适配器设计。
  其多功能性和高性能使其成为众多电力电子领域的关键组件。

替代型号

GA1206A1R8BXEBC31H, IRFZ44N, FDP5580

GA1206A1R8BXEBC31G参数

  • 现有数量0现货
  • 价格停产
  • 系列GA
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态停产
  • 电容1.8 pF
  • 容差±0.1pF
  • 电压 - 额定500V
  • 温度系数C0G,NP0
  • 工作温度-55°C ~ 150°C
  • 特性-
  • 等级AEC-Q200
  • 应用汽车级
  • 故障率-
  • 安装类型表面贴装,MLCC
  • 封装/外壳1206(3216 公制)
  • 大小 / 尺寸0.126" 长 x 0.063" 宽(3.20mm x 1.60mm)
  • 高度 - 安装(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.067"(1.70mm)
  • 引线间距-
  • 引线样式-