时间：2025/7/5 5:32:44
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74SSTE328862ZALR 是一款高性能、低功耗的 CMOS 工艺静态随机存取存储器（SRAM）。该芯片具有高可靠性和快速访问时间，广泛应用于需要高速数据处理和存储的场景。它支持标准的同步接口，能够与多种微处理器和逻辑电路无缝连接。
该型号通常用于工业控制、通信设备、医疗仪器以及消费类电子产品等领域。
容量：512K x 8 bits
核心电压：1.8V - 3.6V
接口类型：同步
封装形式：BGA
工作温度范围：-40°C 至 +85°C
访问时间：10 ns
数据保留时间：无限
工作频率：最高 166 MHz
封装引脚数：144
74SSTE328862ZALR 提供了卓越的性能和可靠性。其主要特性包括：
1. 高速读写能力，访问时间仅为 10ns，确保在高频率下保持稳定的数据传输。
2. 宽电压范围设计（1.8V 到 3.6V），适用于多种供电环境。
3. 同步接口支持时钟驱动操作，可以有效减少系统延迟。
4. 内置自刷新功能，降低了系统功耗。
5. 符合 JEDEC 标准，兼容性良好。
6. 在极端温度条件下依然保持稳定的性能，适应各种恶劣的工作环境。
7. 封装采用 BGA 技术，减小了 PCB 占用面积并提高了信号完整性。
这款 SRAM 芯片广泛应用于以下领域：
1. 工业自动化控制中的实时数据缓存。
2. 通信设备如路由器、交换机等中的临时数据存储。
3. 医疗成像设备中的图像处理和存储。
4. 消费类电子产品如打印机、扫描仪等中作为高速缓冲存储器。
5. 嵌入式系统中的程序代码或关键数据的临时存放。
由于其高性能和低功耗的特点，该芯片非常适合需要频繁读写的场景。
IS61WV5128BLL-10TI, AS6C1008-55BCN
