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GA1206A1R5DBABR31G 发布时间 时间:2025/6/6 12:03:46 查看 阅读:4

GA1206A1R5DBABR31G 是一款由 GeneSiC Semiconductor 生产的碳化硅 (SiC) MOSFET 芯片。该芯片采用了先进的 SiC 技术,具有高开关频率、低导通电阻和高效能转换的特点,适用于高功率密度应用场合。
  其封装形式为 D2PAK-7 (TO-263),能够承受较高的电压和电流,并且在高温环境下仍能保持稳定的工作性能。这款芯片广泛应用于工业电源、电机驱动、太阳能逆变器以及其他需要高效功率转换的场景。

参数

额定电压:1200V
  额定电流:6A
  导通电阻:1.5mΩ
  最大工作温度范围:-55℃ 至 +175℃
  栅极电荷:48nC
  反向恢复时间:无(由于 SiC 技术特性)

特性

GA1206A1R5DBABR31G 的主要特性包括:
  1. 使用了碳化硅材料,具备更高的效率和更低的开关损耗。
  2. 高温下的稳定性使其非常适合恶劣环境中的应用。
  3. 支持高达 1200V 的阻断电压,适合高压电力电子系统。
  4. 极低的导通电阻确保了较低的传导损耗,从而提高了整体效率。
  5. 封装设计紧凑,便于散热并减少寄生电感影响。
  6. 内部集成了二极管功能,无需额外配置反向恢复元件。

应用

这款芯片适用于以下领域:
  1. 工业级 AC-DC 和 DC-DC 转换器。
  2. 太阳能逆变器及储能系统。
  3. 电动汽车充电站及相关基础设施。
  4. 高频开关电源以及电机驱动控制器。
  5. 不间断电源 (UPS) 系统和其他高性能电力电子设备。

替代型号

GA1206A1R5DCAJR31G

GA1206A1R5DBABR31G参数

  • 现有数量0现货
  • 价格停产
  • 系列GA
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态停产
  • 电容1.5 pF
  • 容差±0.5pF
  • 电压 - 额定50V
  • 温度系数C0G,NP0
  • 工作温度-55°C ~ 150°C
  • 特性-
  • 等级AEC-Q200
  • 应用汽车级
  • 故障率-
  • 安装类型表面贴装,MLCC
  • 封装/外壳1206(3216 公制)
  • 大小 / 尺寸0.126" 长 x 0.063" 宽(3.20mm x 1.60mm)
  • 高度 - 安装(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.067"(1.70mm)
  • 引线间距-
  • 引线样式-