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GA1206A1R5BBEBT31G 发布时间 时间:2025/6/3 22:06:23 查看 阅读:3

GA1206A1R5BBEBT31G是一款高性能的功率MOSFET芯片,广泛应用于开关电源、电机驱动和负载切换等场景。该器件采用了先进的半导体制造工艺,具备低导通电阻和高效率的特点,能够在高频工作条件下提供卓越的性能表现。
  这款MOSFET属于N沟道增强型场效应晶体管,适用于各种需要高效功率转换的应用场合。其封装形式通常为表面贴装类型(如TO-252或DPAK),便于在紧凑型设计中使用。

参数

类型:N沟道MOSFET
  最大漏源电压:60V
  最大栅源电压:±20V
  连续漏极电流:70A
  导通电阻:1.5mΩ
  总栅极电荷:48nC
  开关频率:高达1MHz
  功耗:取决于应用环境
  工作温度范围:-55℃至+175℃

特性

GA1206A1R5BBEBT31G具有以下显著特性:
  1. 极低的导通电阻,能够减少功率损耗并提高系统效率。
  2. 高速开关能力,适合高频应用场景。
  3. 强大的过流能力和热稳定性,确保在极端条件下的可靠性。
  4. 紧凑型封装设计,简化了PCB布局并节省空间。
  5. 符合RoHS标准,环保且支持无铅焊接工艺。
  6. 内置ESD保护机制,增强了抗静电能力。
  这些特点使得该MOSFET非常适合用于工业设备、消费类电子产品以及汽车电子系统中的功率管理模块。

应用

GA1206A1R5BBEBT31G主要应用于以下几个领域:
  1. 开关模式电源(SMPS)中的主开关管或同步整流管。
  2. 电动工具和家用电器中的电机驱动电路。
  3. 工业自动化设备中的负载控制和信号切换。
  4. 新能源汽车中的电池管理系统(BMS)及DC-DC转换器。
  5. LED驱动器和音频放大器等需要高效功率转换的场景。
  由于其出色的性能表现,该器件成为了许多工程师在设计高性能功率电路时的首选解决方案。

替代型号

GA1206A1R5BBE, IRF7729PbF, FDP16N60C, AO4402A

GA1206A1R5BBEBT31G参数

  • 现有数量0现货
  • 价格停产
  • 系列GA
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态停产
  • 电容1.5 pF
  • 容差±0.1pF
  • 电压 - 额定500V
  • 温度系数C0G,NP0
  • 工作温度-55°C ~ 150°C
  • 特性-
  • 等级AEC-Q200
  • 应用汽车级
  • 故障率-
  • 安装类型表面贴装,MLCC
  • 封装/外壳1206(3216 公制)
  • 大小 / 尺寸0.126" 长 x 0.063" 宽(3.20mm x 1.60mm)
  • 高度 - 安装(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.067"(1.70mm)
  • 引线间距-
  • 引线样式-