时间：2025/5/23 10:17:45
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GA1206A1R2DBEBR31G 是一款基于氮化镓（GaN）技术的高性能功率晶体管，适用于高频、高效能开关应用。该器件采用增强型场效应晶体管（e-mode HEMT）结构，具有极低的导通电阻和快速开关特性，可显著提高系统效率并减小电源设计尺寸。
其封装形式为芯片级封装（CSP），支持高密度布局，并通过优化的热性能设计确保长期可靠性。该型号特别适合用于服务器电源、通信设备、电动车充电器等对效率和体积要求较高的场景。
最大漏源电压：1200V
连续漏极电流：6A
导通电阻：1.2Ω
栅极电荷：85nC
输入电容：1500pF
反向传输电容：180pF
开关频率：高达3MHz
工作温度范围：-55℃ 至 +175℃
1. 氮化镓材料提供卓越的功率密度与效率表现。
2. 极低的导通电阻有效降低传导损耗。
3. 快速开关速度减少开关损耗，提升高频操作能力。
4. 封装小巧，便于实现紧凑型电源解决方案。
5. 内置ESD保护功能以增强稳定性。
6. 宽广的工作温度范围使其适应多种恶劣环境条件。
1. 数据中心及电信设备中的AC-DC转换器。
2. 高效DC-DC转换模块。
3. 新能源汽车车载充电器。
4. 太阳能逆变器及其他可再生能源相关设备。
5. 工业驱动和电机控制领域中的功率转换部分。
GA1206A1R5DBEBR31G
GAN063-650WSA
PSMN2R0-120YSK
