LDTC114GLT1G 时间：2025/8/13 10:14:55 阅读：22

LDTC114GLT1G 是一款由 ON Semiconductor（安森美半导体）推出的 N 沟道增强型 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要用于高效率电源管理和开关应用。该器件采用先进的沟槽技术，提供低导通电阻（Rds(on)）和高开关速度，适用于需要低功耗和高性能的电子系统。LDTC114GLT1G 采用 SOT-23 封装，便于在空间受限的 PCB 设计中使用。

参数

类型：N 沟道 MOSFET
　　漏源电压（Vds）：20V
　　栅源电压（Vgs）：±12V
　　连续漏极电流（Id）：100mA
　　功耗（Pd）：300mW
　　工作温度范围：-55°C 至 150°C
　　存储温度范围：-55°C 至 150°C
　　封装类型：SOT-23
　　导通电阻（Rds(on)）：最大 3.5Ω @ Vgs = 4.5V
　　阈值电压（Vgs(th)）：1.0V 至 2.5V

特性

LDTC114GLT1G 是一款高性能 N 沟道 MOSFET，专为低电压和低电流应用而设计。其主要特性之一是较低的导通电阻，典型值在 4.5V 栅极驱动电压下为 3.5Ω 或更低，这有助于减少导通状态下的功率损耗，提高系统效率。该器件的栅极驱动电压范围较宽，支持从 1.8V 到 4.5V 的逻辑电平驱动，适用于多种数字控制电路。
　　此外，LDTC114GLT1G 具有快速的开关特性，开关时间较短，降低了开关损耗，适合高频应用。其 SOT-23 封装形式不仅体积小巧，而且具有良好的热性能，可以在有限的空间内实现高效的功率管理。该器件的额定漏源电压为 20V，最大漏极电流为 100mA，适用于低功耗、便携式设备中的电源开关和负载控制。
　　LDTC114GLT1G 的工作温度范围为 -55°C 至 150°C，适用于广泛的工业和消费类应用。其高可靠性和稳定性使其在电池供电设备、传感器电路、LED 驱动和小型电机控制等领域得到广泛应用。

应用

LDTC114GLT1G 主要应用于需要低电压、低电流控制的电子设备中。常见的应用包括便携式电子产品中的电源管理、电池供电系统的负载开关、LED 驱动电路、传感器接口电路、小型电机或继电器的控制开关等。此外，该器件还可用于数字电路中的电平转换和信号切换，适用于需要高效能、低功耗的嵌入式系统和物联网（IoT）设备。