时间：2025/6/6 12:13:25
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GA1206A1R2CBEBT31G 是一款高性能的 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）器件，主要用于开关和功率转换应用。该型号属于沟道型 MOSFET，具有低导通电阻、高效率和快速开关性能的特点。
该芯片适用于多种电子设备中，包括但不限于开关电源、电机驱动、DC-DC 转换器等场景。其设计能够承受较高的电压和电流负载，并提供卓越的热性能表现。
最大漏源电压：120V
连续漏极电流：6.4A
导通电阻：0.028Ω
栅极电荷：37nC
总电容：590pF
工作温度范围：-55°C 至 +175°C
封装类型：TO-263-3
GA1206A1R2CBEBT31G 的主要特性如下：
1. 极低的导通电阻，有助于减少功率损耗并提高系统效率。
2. 高速开关能力，使其非常适合高频应用。
3. 出色的热稳定性，在极端温度条件下也能保持可靠的性能。
4. 强大的过载保护功能，增强整体系统的安全性。
5. 小型化封装设计，便于在空间有限的电路板上使用。
6. 符合 RoHS 标准，绿色环保无毒害。
此款 MOSFET 广泛应用于以下领域：
1. 开关电源（SMPS）和适配器中的功率开关。
2. 各类 DC-DC 转换器的核心元件。
3. 电动工具及家用电器的电机驱动控制。
4. 工业自动化设备中的负载切换。
5. 新能源汽车内的电池管理系统（BMS）以及逆变器组件。
6. LED 照明驱动电路。
GA1206A1R2CBEBT21G, GA1206A1R2CBEBT41G
