GA1206A1R0DBBBT31G 是一款由东芝(Toshiba)生产的IGBT模块,广泛应用于工业电源、电机驱动和新能源领域。该模块采用先进的沟槽栅结构和场截止技术,具有低导通损耗和开关损耗的特点,适用于高频开关应用。其封装形式为DIP(双列直插式封装),并具备高可靠性与散热性能。
型号:GA1206A1R0DBBBT31G
类型:IGBT模块
额定电压:1200V
额定电流:6A
集电极-发射极饱和电压:1.7V(典型值,在指定测试条件下)
门极阈值电压:4V~8V
最大工作结温:-40℃~150℃
开关频率范围:高达50kHz
绝缘方式:非绝缘(裸露焊盘)
封装形式:DIP
GA1206A1R0DBBBT31G 拥有以下显著特性:
1. 高耐压能力:额定电压达到1200V,适合高压应用场景。
2. 低导通损耗:得益于优化的芯片设计,其集电极-发射极饱和电压较低,从而提高整体效率。
3. 快速开关能力:能够支持高达50kHz的开关频率,满足高频应用需求。
4. 紧凑型封装:采用DIP封装,便于安装在PCB板上。
5. 高可靠性:经过严格测试,确保在极端温度范围内的稳定运行。
6. 低热阻设计:有助于快速散热,提升模块寿命。
GA1206A1R0DBBBT31G 广泛应用于以下领域:
1. 工业变频器:用于控制电机转速和扭矩。
2. 新能源逆变器:如太阳能逆变器中的功率转换电路。
3. 开关电源:提供高效的功率转换解决方案。
4. 电动车辆控制器:用于电动车驱动系统。
5. 其他高频功率转换设备:例如焊接机、感应加热设备等。
GA1206A1R0DBBBT30G
GA1206A1R0DBBBT32G