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GA1206A1R0DBBBT31G 发布时间 时间:2025/6/30 17:45:54 查看 阅读:6

GA1206A1R0DBBBT31G 是一款由东芝(Toshiba)生产的IGBT模块,广泛应用于工业电源、电机驱动和新能源领域。该模块采用先进的沟槽栅结构和场截止技术,具有低导通损耗和开关损耗的特点,适用于高频开关应用。其封装形式为DIP(双列直插式封装),并具备高可靠性与散热性能。

参数

型号:GA1206A1R0DBBBT31G
  类型:IGBT模块
  额定电压:1200V
  额定电流:6A
  集电极-发射极饱和电压:1.7V(典型值,在指定测试条件下)
  门极阈值电压:4V~8V
  最大工作结温:-40℃~150℃
  开关频率范围:高达50kHz
  绝缘方式:非绝缘(裸露焊盘)
  封装形式:DIP

特性

GA1206A1R0DBBBT31G 拥有以下显著特性:
  1. 高耐压能力:额定电压达到1200V,适合高压应用场景。
  2. 低导通损耗:得益于优化的芯片设计,其集电极-发射极饱和电压较低,从而提高整体效率。
  3. 快速开关能力:能够支持高达50kHz的开关频率,满足高频应用需求。
  4. 紧凑型封装:采用DIP封装,便于安装在PCB板上。
  5. 高可靠性:经过严格测试,确保在极端温度范围内的稳定运行。
  6. 低热阻设计:有助于快速散热,提升模块寿命。

应用

GA1206A1R0DBBBT31G 广泛应用于以下领域:
  1. 工业变频器:用于控制电机转速和扭矩。
  2. 新能源逆变器:如太阳能逆变器中的功率转换电路。
  3. 开关电源:提供高效的功率转换解决方案。
  4. 电动车辆控制器:用于电动车驱动系统。
  5. 其他高频功率转换设备:例如焊接机、感应加热设备等。

替代型号

GA1206A1R0DBBBT30G
  GA1206A1R0DBBBT32G

GA1206A1R0DBBBT31G参数

  • 现有数量0现货
  • 价格停产
  • 系列GA
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态停产
  • 电容1 pF
  • 容差±0.5pF
  • 电压 - 额定100V
  • 温度系数C0G,NP0
  • 工作温度-55°C ~ 150°C
  • 特性-
  • 等级AEC-Q200
  • 应用汽车级
  • 故障率-
  • 安装类型表面贴装,MLCC
  • 封装/外壳1206(3216 公制)
  • 大小 / 尺寸0.126" 长 x 0.063" 宽(3.20mm x 1.60mm)
  • 高度 - 安装(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.067"(1.70mm)
  • 引线间距-
  • 引线样式-