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GA1206A182KXCBR31G 发布时间 时间:2025/6/6 12:12:38 查看 阅读:5

GA1206A182KXCBR31G 是一款高性能的功率MOSFET芯片,广泛应用于开关电源、电机驱动、DC-DC转换器等场景。该芯片采用了先进的制造工艺,具有低导通电阻、高效率和良好的热性能。
  这款器件能够在高频开关条件下提供稳定的性能,并具备较强的电流承载能力,适用于对功率密度和效率要求较高的应用场景。

参数

型号:GA1206A182KXCBR31G
  类型:N沟道 MOSFET
  最大漏源电压(Vds):60V
  最大栅源电压(Vgs):±20V
  最大连续漏极电流(Id):18A
  导通电阻(Rds(on)):2.5mΩ
  总栅极电荷(Qg):75nC
  工作温度范围:-55°C 至 +175°C
  封装形式:TO-247

特性

GA1206A182KXCBR31G 具有以下主要特性:
  1. 极低的导通电阻,能够有效降低功耗并提高系统效率。
  2. 高雪崩能量能力,确保在异常情况下仍能保持可靠运行。
  3. 快速开关速度,支持高频应用,减少磁性元件体积。
  4. 强大的电流承载能力,适合大功率负载的应用。
  5. 良好的热性能设计,有助于提升整体系统的散热表现。
  6. 宽工作温度范围,适应各种严苛环境下的使用需求。

应用

该芯片适用于多种电力电子领域:
  1. 开关电源(SMPS)中的主开关管或同步整流管。
  2. DC-DC转换器中的功率开关。
  3. 电机驱动电路中的功率级控制。
  4. 工业设备中的负载切换和保护。
  5. 电池管理系统(BMS)中的充放电控制。
  6. 汽车电子系统中的电源管理模块。

替代型号

GA1206A182KXCBR31H, IRF540N, FDP5570N

GA1206A182KXCBR31G参数

  • 现有数量0现货
  • 价格在售
  • 系列GA
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态在售
  • 电容1800 pF
  • 容差±10%
  • 电压 - 额定200V
  • 温度系数C0G,NP0
  • 工作温度-55°C ~ 150°C
  • 特性-
  • 等级AEC-Q200
  • 应用汽车级
  • 故障率-
  • 安装类型表面贴装,MLCC
  • 封装/外壳1206(3216 公制)
  • 大小 / 尺寸0.126" 长 x 0.063" 宽(3.20mm x 1.60mm)
  • 高度 - 安装(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.067"(1.70mm)
  • 引线间距-
  • 引线样式-