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GA1206A182JBBBR31G 发布时间 时间:2025/7/1 14:55:09 查看 阅读:8

GA1206A182JBBBR31G 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片,广泛应用于开关电源、DC-DC 转换器、电机驱动等场景。该芯片采用了先进的沟槽式 MOSFET 技术,具有低导通电阻和高开关速度的特点,能够显著提高系统效率并降低能耗。
  该型号属于增强型 N 沟道 MOSFET,适用于高频开关应用。其封装形式为 TO-247,便于散热设计,并且支持大电流操作。

参数

最大漏源电压:1200V
  连续漏极电流:18A
  导通电阻:150mΩ
  栅极电荷:65nC
  开关频率:高达 100kHz
  结温范围:-55℃ 至 +175℃

特性

GA1206A182JBBBR31G 的主要特性包括:
  1. 极低的导通电阻 (Rds(on)),有助于减少传导损耗,提升整体效率。
  2. 高耐压能力,可承受高达 1200V 的漏源电压,适合高压应用场景。
  3. 快速开关性能,具备较小的栅极电荷和输出电荷,从而降低开关损耗。
  4. 良好的热稳定性,在高温条件下仍能保持稳定的电气性能。
  5. 强大的电流承载能力,支持高达 18A 的连续漏极电流。
  6. 先进的封装技术,提供优异的散热性能,确保长时间稳定运行。

应用

这款 MOSFET 主要应用于以下领域:
  1. 开关电源 (SMPS) 和 DC-DC 转换器中的高频开关元件。
  2. 电动工具、家用电器及工业设备中的电机驱动电路。
  3. 太阳能逆变器和储能系统的功率转换模块。
  4. 电动汽车 (EV) 和混合动力汽车 (HEV) 的车载充电器和牵引逆变器。
  5. 各类需要高效功率管理的电子设备。

替代型号

GA1206A182JBBBR32G, GA1206A182JBBBR33G

GA1206A182JBBBR31G参数

  • 现有数量0现货
  • 价格在售
  • 系列GA
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态在售
  • 电容1800 pF
  • 容差±5%
  • 电压 - 额定100V
  • 温度系数C0G,NP0
  • 工作温度-55°C ~ 150°C
  • 特性-
  • 等级AEC-Q200
  • 应用汽车级
  • 故障率-
  • 安装类型表面贴装,MLCC
  • 封装/外壳1206(3216 公制)
  • 大小 / 尺寸0.126" 长 x 0.063" 宽(3.20mm x 1.60mm)
  • 高度 - 安装(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.067"(1.70mm)
  • 引线间距-
  • 引线样式-