时间：2025/6/17 8:52:33
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GA1206A182GXCBR31G 是一款高性能的 MOSFET 功率晶体管，主要用于开关和功率转换应用。该器件采用先进的制造工艺，具有低导通电阻、高开关速度和良好的热性能，适合在各种电源管理系统中使用。
型号：GA1206A182GXCBR31G
类型：MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）
极性：N-Channel
最大漏源电压(Vds)：120V
最大栅源电压(Vgs)：±20V
最大连续漏极电流(Id)：6A
导通电阻(Rds(on))：70mΩ（典型值，在Vgs=10V时）
总功耗(Ptot)：15W
结温范围(Tj)：-55℃ 至 +150℃
封装形式：TO-252(DPAK)
GA1206A182GXCBR31G 提供了卓越的电气特性和可靠性。
1. 低导通电阻确保在大电流条件下效率更高且发热更少。
2. 高速开关能力使其非常适合高频DC-DC转换器和PWM控制器。
3. 具备强大的抗雪崩能力，能够有效保护电路免受过载或短路的影响。
4. 良好的热稳定性，可承受较宽的工作温度范围。
5. 封装设计紧凑，便于安装和集成到现代电子产品中。
该芯片广泛应用于各类电力电子设备：
1. 开关电源(SMPS) 和适配器。
2. 电机驱动和控制模块。
3. 汽车电子系统中的负载切换。
4. 工业自动化设备中的信号隔离与放大。
5. LED照明驱动电路。
6. 各种便携式设备中的电池管理单元(BMU)。
GA1206A182GXCBR31G-A, IRFZ44N, FDP5500
