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GA1206A181GBABT31G 发布时间 时间:2025/5/24 13:18:24 查看 阅读:13

GA1206A181GBABT31G 是一款高性能的功率MOSFET芯片,主要应用于开关电源、电机驱动、DC-DC转换器等场景。该器件采用了先进的半导体制造工艺,具有低导通电阻和高效率的特点,能够显著降低功耗并提升系统性能。
  这款MOSFET为N沟道增强型场效应晶体管,适用于需要高频开关和大电流处理的应用场合。其封装形式经过优化设计,确保了良好的散热性能,从而提升了整体的可靠性和稳定性。

参数

最大漏源电压:60V
  连续漏极电流:45A
  导通电阻:1.8mΩ
  栅极电荷:95nC
  开关时间:ton=12ns, toff=35ns
  结温范围:-55℃至+175℃
  热阻(结到壳):0.5℃/W

特性

1. 超低导通电阻,有助于减少传导损耗,提高系统效率。
  2. 高速开关能力,适合高频应用环境。
  3. 栅极电荷较低,可以有效降低驱动损耗。
  4. 采用坚固耐用的封装技术,具备优秀的散热性能。
  5. 工作温度范围宽广,适应多种恶劣环境下的运行需求。
  6. 具备出色的抗雪崩能力和鲁棒性,增强了可靠性。

应用

1. 开关电源(SMPS)中的主开关元件。
  2. 电动工具及家用电器内的电机驱动控制。
  3. 汽车电子系统中的负载切换。
  4. 工业自动化设备中的功率转换模块。
  5. DC-DC转换器和升压/降压电路的核心组件。
  6. 大功率LED驱动电路中的关键元器件。

替代型号

IRFZ44N
  FDP15U60B
  STP12NM60E

GA1206A181GBABT31G参数

  • 现有数量0现货
  • 价格在售
  • 系列GA
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态在售
  • 电容180 pF
  • 容差±2%
  • 电压 - 额定50V
  • 温度系数C0G,NP0
  • 工作温度-55°C ~ 150°C
  • 特性-
  • 等级AEC-Q200
  • 应用汽车级
  • 故障率-
  • 安装类型表面贴装,MLCC
  • 封装/外壳1206(3216 公制)
  • 大小 / 尺寸0.126" 长 x 0.063" 宽(3.20mm x 1.60mm)
  • 高度 - 安装(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.067"(1.70mm)
  • 引线间距-
  • 引线样式-