类型：P沟道MOSFET
　　漏源电压（VDS）：-20V
　　栅源电压（VGS）：±8V
　　连续漏极电流（ID）：-2.6A（@VGS = -4.5V）
　　导通电阻（RDS(on)）：55mΩ（@VGS = -4.5V）
　　功率耗散：1.5W
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　封装类型：SOT-23

FMOS2301T-H 具备多项优秀的电气特性和物理特性，适用于多种高效率应用。首先，其双P沟道结构设计允许在同一封装内实现两个独立的MOSFET通道，适用于需要冗余设计或并联工作的电路。其次，该MOSFET具有较低的导通电阻（RDS(on)），在-4.5V的栅极电压下仅55mΩ，能够显著降低功率损耗并提高整体效率。此外，该器件支持高达-2.6A的连续漏极电流，适合用于中等功率的负载开关应用。
　　该MOSFET的栅极驱动电压范围较宽，从-8V到+8V之间都能正常工作，增加了其在不同控制电路中的适应性。其SOT-23封装形式不仅节省空间，而且便于在PCB上布局和焊接，适合用于便携式设备和空间受限的应用场景。此外，该器件的热阻较低，能够有效散热，确保在高负载条件下也能稳定运行。

FMOS2301T-H 广泛应用于需要高效功率管理的电子设备中。常见应用包括电池供电设备中的负载开关、DC-DC转换器、电压调节器、电机控制电路以及各种便携式消费电子产品，如智能手机、平板电脑和笔记本电脑等。此外，该MOSFET也可用于工业控制系统和汽车电子模块中，作为高性能开关元件使用。

Si3442DV, DMG2305UX-7, FDMS3602