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GA1206A151GXEBR31G 发布时间 时间:2025/6/3 22:04:37 查看 阅读:4

GA1206A151GXEBR31G 是一款高性能的功率 MOSFET,采用先进的半导体工艺制造。该器件适用于高效率、高频开关应用场合,具有低导通电阻和快速开关速度的特点,能够显著降低功耗并提升系统性能。
  此型号属于 N 沟道增强型 MOSFET,主要应用于电源管理、电机驱动以及各种需要高效能开关操作的电子设备中。

参数

最大漏源电压:120V
  连续漏极电流:6A
  导通电阻(典型值):15mΩ
  栅极电荷:30nC
  开关时间:ton=24ns, toff=18ns
  工作结温范围:-55℃至+175℃

特性

1. 低导通电阻设计,可有效减少传导损耗。
  2. 快速开关能力,适合高频应用环境。
  3. 高雪崩能量耐受能力,增强了器件的鲁棒性。
  4. 小尺寸封装,便于 PCB 布局优化。
  5. 具备出色的热稳定性和可靠性,适应极端温度条件下的运行需求。
  6. 符合 RoHS 标准,环保无铅材料制造。

应用

1. 开关电源(SMPS)中的同步整流器。
  2. DC-DC 转换器的核心开关元件。
  3. 电机驱动电路中的功率级控制。
  4. 电池保护电路及负载开关。
  5. 工业自动化设备中的功率调节模块。
  6. LED 照明系统的驱动电路设计。

替代型号

GA1206A151GXEBR30G
  IRFZ44N
  FDP5800
  STP60NF12

GA1206A151GXEBR31G参数

  • 现有数量0现货
  • 价格在售
  • 系列GA
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态在售
  • 电容150 pF
  • 容差±2%
  • 电压 - 额定500V
  • 温度系数C0G,NP0
  • 工作温度-55°C ~ 150°C
  • 特性-
  • 等级AEC-Q200
  • 应用汽车级
  • 故障率-
  • 安装类型表面贴装,MLCC
  • 封装/外壳1206(3216 公制)
  • 大小 / 尺寸0.126" 长 x 0.063" 宽(3.20mm x 1.60mm)
  • 高度 - 安装(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.067"(1.70mm)
  • 引线间距-
  • 引线样式-