时间：2025/6/3 22:04:37
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GA1206A151GXEBR31G 是一款高性能的功率 MOSFET，采用先进的半导体工艺制造。该器件适用于高效率、高频开关应用场合，具有低导通电阻和快速开关速度的特点，能够显著降低功耗并提升系统性能。
此型号属于 N 沟道增强型 MOSFET，主要应用于电源管理、电机驱动以及各种需要高效能开关操作的电子设备中。
最大漏源电压：120V
连续漏极电流：6A
导通电阻（典型值）：15mΩ
栅极电荷：30nC
开关时间：ton=24ns, toff=18ns
工作结温范围：-55℃至+175℃
1. 低导通电阻设计，可有效减少传导损耗。
2. 快速开关能力，适合高频应用环境。
3. 高雪崩能量耐受能力，增强了器件的鲁棒性。
4. 小尺寸封装，便于 PCB 布局优化。
5. 具备出色的热稳定性和可靠性，适应极端温度条件下的运行需求。
6. 符合 RoHS 标准，环保无铅材料制造。
1. 开关电源（SMPS）中的同步整流器。
2. DC-DC 转换器的核心开关元件。
3. 电机驱动电路中的功率级控制。
4. 电池保护电路及负载开关。
5. 工业自动化设备中的功率调节模块。
6. LED 照明系统的驱动电路设计。
GA1206A151GXEBR30G
IRFZ44N
FDP5800
STP60NF12
