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GA1206A150KBEBR31G 发布时间 时间:2025/6/4 4:28:02 查看 阅读:10

GA1206A150KBEBR31G 是一款高性能的功率 MOSFET,主要应用于开关电源、电机驱动和 DC-DC 转换器等领域。该器件采用先进的制造工艺,具有低导通电阻和高开关速度的特点,能够有效降低功耗并提高系统效率。
  这款功率 MOSFET 属于 N 沟道增强型器件,支持较高的工作电压和较大的电流容量,广泛用于需要高效能和高可靠性的电子设备中。

参数

类型:N沟道增强型MOSFET
  最大漏源电压:650V
  最大连续漏极电流:15A
  导通电阻(典型值):0.18Ω
  栅极电荷:45nC
  工作结温范围:-55℃ 至 +175℃

特性

GA1206A150KBEBR31G 具有以下显著特性:
  1. 高耐压能力,适合高压应用环境。
  2. 极低的导通电阻,有助于减少导通损耗,提升整体效率。
  3. 快速开关性能,可实现高频操作,适用于开关电源和 DC-DC 转换器。
  4. 优异的热稳定性和可靠性,能够在极端温度条件下正常工作。
  5. 小型化封装设计,便于 PCB 布局和散热管理。

应用

该器件适用于多种电力电子应用领域,包括但不限于:
  1. 开关模式电源(SMPS)
  2. 工业电机驱动
  3. DC-DC 转换器
  4. 电池管理系统(BMS)
  5. 可再生能源逆变器
  6. 家电及消费类电子产品中的功率控制电路

替代型号

IRF840,
  STP16NF50,
  FDP17N50,
  IXYS IXFN50N120

GA1206A150KBEBR31G参数

  • 现有数量0现货
  • 价格停产
  • 系列GA
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态停产
  • 电容15 pF
  • 容差±10%
  • 电压 - 额定500V
  • 温度系数C0G,NP0
  • 工作温度-55°C ~ 150°C
  • 特性-
  • 等级AEC-Q200
  • 应用汽车级
  • 故障率-
  • 安装类型表面贴装,MLCC
  • 封装/外壳1206(3216 公制)
  • 大小 / 尺寸0.126" 长 x 0.063" 宽(3.20mm x 1.60mm)
  • 高度 - 安装(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.067"(1.70mm)
  • 引线间距-
  • 引线样式-