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GA1206A150JXBBP31G 发布时间 时间:2025/6/3 22:03:26 查看 阅读:3

GA1206A150JXBBP31G是一款高性能的功率MOSFET芯片,主要用于开关电源、电机驱动和DC-DC转换器等电力电子应用。该器件采用了先进的沟槽式结构设计,具有较低的导通电阻和较高的电流承载能力,能够显著提升系统的效率和可靠性。
  这款芯片具备出色的热性能和电气特性,适用于需要高效能量转换和低损耗的应用场景。其封装形式经过优化,可有效降低寄生电感和提高散热性能。

参数

型号:GA1206A150JXBBP31G
  类型:N-Channel MOSFET
  额定电压:1200V
  额定电流:6A
  导通电阻(Rds(on)):150mΩ
  栅极电荷(Qg):40nC
  输入电容(Ciss):1200pF
  输出电容(Coss):45pF
  反向恢复时间(trr):50ns
  工作温度范围:-55℃ to +175℃

特性

GA1206A150JXBBP31G具有以下显著特点:
  1. 极低的导通电阻,有助于减少传导损耗并提升整体系统效率。
  2. 高额定电压和电流值,适合高压和高功率应用环境。
  3. 短暂的反向恢复时间,降低了开关过程中的能量损失。
  4. 优异的热稳定性,在高温条件下仍能保持稳定运行。
  5. 封装形式紧凑,便于在有限空间内实现高效的电路布局。
  6. 符合RoHS标准,绿色环保且易于集成到现代化电子产品中。

应用

GA1206A150JXBBP31G广泛应用于以下领域:
  1. 开关电源(SMPS),用于实现高效的电压转换。
  2. 电机驱动,为各类电机提供稳定的电流供应。
  3. DC-DC转换器,用作主开关或同步整流元件。
  4. 太阳能逆变器,用于将直流电转换为交流电。
  5. 电动车充电设备,确保快速充电的同时维持高效运作。
  6. 工业自动化控制,如变频器和伺服驱动器中的功率模块。

替代型号

GA1206A150JXBBP32G, IRFP460, STP12NM60

GA1206A150JXBBP31G参数

  • 现有数量0现货
  • 价格停产
  • 系列GA
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态停产
  • 电容15 pF
  • 容差±5%
  • 电压 - 额定100V
  • 温度系数C0G,NP0
  • 工作温度-55°C ~ 150°C
  • 特性-
  • 等级AEC-Q200
  • 应用汽车级
  • 故障率-
  • 安装类型表面贴装,MLCC
  • 封装/外壳1206(3216 公制)
  • 大小 / 尺寸0.126" 长 x 0.063" 宽(3.20mm x 1.60mm)
  • 高度 - 安装(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.067"(1.70mm)
  • 引线间距-
  • 引线样式-