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GA1206A150JXABC31G 发布时间 时间:2025/6/4 4:27:14 查看 阅读:8

GA1206A150JXABC31G是一款高性能的功率MOSFET芯片,专为高效率和高可靠性应用设计。该器件采用先进的半导体制造工艺,具有较低的导通电阻和较高的开关速度,适用于多种电源管理场景,如DC-DC转换器、开关电源和电机驱动等。其封装形式和电气性能经过优化,能够满足严格的工业标准要求。
  该型号属于增强型N沟道MOSFET系列,支持大电流操作,并在高温环境下表现出优异的稳定性。

参数

最大漏源电压:150V
  连续漏极电流:60A
  导通电阻:1.5mΩ
  栅极电荷:120nC
  总电容:2200pF
  工作温度范围:-55℃ to +175℃

特性

GA1206A150JXABC31G具有以下显著特点:
  1. 极低的导通电阻(Rds(on)),有助于减少传导损耗并提高系统效率。
  2. 高速开关能力,适合高频应用环境。
  3. 强大的热性能,确保在极端条件下的稳定运行。
  4. 内置ESD保护电路,增强了抗静电能力。
  5. 符合RoHS标准,环保且安全。
  6. 小型化封装,节省PCB板空间,同时提供良好的散热性能。

应用

这款MOSFET广泛应用于各种领域,包括但不限于以下方面:
  1. 开关模式电源(SMPS)中的功率级控制。
  2. 电动工具及家用电器中的电机驱动电路。
  3. 新能源汽车中的电池管理系统(BMS)与逆变器模块。
  4. 工业自动化设备中的负载切换和保护功能。
  5. 通信基站中高效DC-DC转换器的核心组件。
  此外,它还适用于需要快速响应和精确控制的其他电子系统。

替代型号

GA1206A150JXABC28F, GA1206A150JXABC30H

GA1206A150JXABC31G参数

  • 现有数量0现货
  • 价格停产
  • 系列GA
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态停产
  • 电容15 pF
  • 容差±5%
  • 电压 - 额定50V
  • 温度系数C0G,NP0
  • 工作温度-55°C ~ 150°C
  • 特性-
  • 等级AEC-Q200
  • 应用汽车级
  • 故障率-
  • 安装类型表面贴装,MLCC
  • 封装/外壳1206(3216 公制)
  • 大小 / 尺寸0.126" 长 x 0.063" 宽(3.20mm x 1.60mm)
  • 高度 - 安装(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.067"(1.70mm)
  • 引线间距-
  • 引线样式-